Реферат: Разработки функциональной схемы и определение ее быстродействия

активной области меньше -1,3 В транзисторы работают в отсечке, выше

-0,3 В входят в режим насыщения.Транзисторы работают в ненасыщенном

режиме, благодаря чему из задержек переключения исключается рассасы-

вание заряда в транзисторе, увеличивается скорость переключения из

одного логического состояния в другое. Порог переключения элемента

составляет -1,2 В. Выходные эмиттерные повторители обеспечивают малое

выходное сопротивление микросхемы, что удобно при согласовании эле-

ментов в процессе построения многокаскадных схем. Сопротивление Rк1 =

365 Ом выбрано меньше сопротивления Rк2 = 416 Ом из-за разницы напря-

жений на базах в токовом переключателе, так на базах транзисторов

Т1,Т2 напряжение -0,8 В а на базе Т3 постоянно -1,2 В. Если допустить

изменение сопротивления Rк1 в большую сторону, то увеличится напряже-

ние на базе соответствующего эмиттерного повторителя и он призакроет-

ся,и если транзистор Т1 или Т2 открыты,то увеличится напряжение на

инверсном выходе. (В этом и последнем предложении напряжение рассмат-

ривается как разность потенциалов).

В случае изменения сопротивления Rк2 - ситуация аналогична, из-

менение сопротивления Rо в большую сторону приводит к уменьшению то-

ка,протекающего по открытому транзистору,и уменьшению напряжения на

базе эмиттерного повторителя, соответственно уменьшается выходное

напряжение.

ОПИСАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

Динамические параметры базового элемента зависят от сопротивле-

ния и емкости нагрузки. При емкости нагрузки, равной нулю, и увеличе-

нии сопротивления нагрузки,время фронта нарастания и спада сигнала, а

также время переключения элемента - уменьшается. Это происходит из-за

того, что уменьшается входная емкость и вместе с ней время переходно-

го процесса. Но при емкости нагрузки, отличной от нуля, характер пе-

реходных процессов изменяется. Время фронта Uвых(t+) при увеличении