Реферат: Ремонт и обслуживание СВЧ печей
2. Uк=Ек – обрыв одного из переходов или транзистор находится в режиме отсечки из-за неисправных элементов, запирающего напряжения либо скрытых дефектов монтажа. При этом в первую очередь необходимо проверить напряжение между базой и эмиттером, которое должно быть:
+(0.6…..0.7)В для n-p-n
-(0.6…..0.7)В для p-n-p транзисторов.
Если напряжение Uбэ значительно отличается от указанного,
необходимо более тщательно проверить элементы и цепи, откуда
поступает запирающее напряжение на базу.
Схема с общим коллектором
 |
Рис.10
1. Uэ=0 – обрыв одного из переходов или транзистор заперт.
2. Uэ=Ек – транзистор пробит или находится в режиме насыщения.
Режим насыщения проверяется вышеописанным способом.
|
|
|
Схема с общей базой
Рис.11
1. U2=0 – обрыв одного из переходов или транзистор заперт.
2. U2=U1 – транзистор пробит или находится в режиме насыщения.
Режим насыщения определяется также.
С учетом вышеизложенного проанализируем схему резистивного усилителя (рис.12) и выявим по известным симптомам неисправные элементы схемы.
|
|
|
Рис.12
Симптом 1: Пониженное напряжение на коллекторе.
Причины: уменьшение напряжения питания Ек, пробой транзистора, повышены токи утечки С1, С2, С3, обрыв R2, R3.
Симптом 2: Повышенное напряжение на коллекторе.
Причины: обрыв одного из переходов транзистора, обрыв R1, R4. Проверить режим насыщения путем параллельного подключения к R1 дополнительного резистора близкого номинала. При этом напряжение на коллекторе транзистора должно уменьшиться.
Интегральные микросхемы очень широко используются в БРЭА. Они представляют собой микроэлектронные устройства, содержащие диоды, транзисторы, резисторы и выполняющие определенную функцию (например, усилитель мощности звуковой частоты).
При эксплуатации микросхем необходимо строго соблюдать полярности питающих напряжений. Причинами их неисправности могут быть обрывы выводов; межэлектродные замыкания; перегрев и разрушение переходов; механические повреждения (раскалывание и деформация корпуса, попадание флюса между выводами и корпусом ИС, приводящее к постепенным отказам и др.).