Реферат: Резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе

I_{К доп} > I_К0 > 1.5 I_н,

где

I_н = U_н / R_н = 667 мкА.

Напряжение питания усилителя Е_к должно быть выбрано исходя из значения наибольшего допустимого напряжения коллектора, т.е. меньше 0.8 U_{КЭ доп}.

Поставленным требованиям удовлетворяет транзистор КТ315Б. Его параметры:

– f_ = 250 Мгц

– I_{К доп} = 100 мА >> 1.5 I_н = 1 мА

– U_{КЭ доп} = 25 В. Зададимся Е_К = 12 В < 0.8U_{КЭ доп} = 20 В.

Выбор режима работы транзистора по постоянному току и расчет номиналов элементов усилителя

Сначала по семейству выходных характеристик транзистора (рис.2 приложения 1) выберем рабочую точку. Для этого построим нагрузочную прямую по переменному току: выберем значение максимального тока коллектора I_{К макс} таким образом, чтобы точка, соответствующая выбранной величине, располагалась по меньшей мере над пятью - шестью кривыми i_K = f (U_K) при i_Б = const, приведенными в справочнике. Из этих соображений выбираем значение

I_{K макс} =15 мА.

Значение максимального напряжения на коллекторе U_{K макс} = Е_К. Ток I_К0 можно взять равным половине I_{К макс}:

I_K0 = 0.5 I_{K макс} = 8 мА.

Рассчитываем сопротивление в цепи эмиттера R_Э. Для этого прежде всего зададимся падением напряжения на нем:

U_Rэ = 0.2 E_К = 2.4 В,

Отсюда

R_Э = U_RЭ / I_Э0  U_RЭ / I_K0 = 300 Ом.

Теперь с помощью выбранной рабочей точки определяем напряжение покоя между коллектором и эмиттером:

U_КЭ0 = 5.5 В.

По входной характеристике (рис.3 приложения 1) находим: ток покоя базы, напряжение покоя между базой и эмиттером, и входное сопротивление каскада (по переменному току):

I_Б0 = 0.1 В,

U_БЭ0 = 0.47 В,

R_{ВХ ОЭ}  R_{ВХ ~} = 860 Ом.

Сопротивление в цепи коллектора R_K рассчитываем аналогично R_Э, задавшись напряжением на нем:

U_Rк = E_K – U_Rэ – U_КЭ0 = 4.1 В,

R_K = U_Rэ / I_K0 = 510 Ом.

Расчет делителя произведем, задавшись значением R₂:

R₂ = 10 R_{вх ОЭ} = 8.6 кОм,

Затем рассчитываем R₁ с помощью следующего выражения: