Реферат: Рост пленки на подложке
Выполнил: ст. группы ЭВС–31
Фокин С.В.
Проверил: к.т.н., доцент Сушенцов Н.И.
г. Йошкар-Ола
2004 г
Содержание
Четыре стадии роста пленки
Зарождение частиц новой фазы
Коалесценция островков
Образование каналов
Образование сплошной пленки
Список литературы
Четыре стадии роста пленки
Как следует из теории зародышеобразования и электронно-микроскопических наблюдений, последовательность этапов образования зародышей и роста пленки вплоть до образования непрерывной пленки такова:
1. Образование адсорбированных атомов.
2. Образование субкритических эмбрионов разного размера.
3. Образование зародышей критического размера (этап зародышеобразования).
4. Рост этих зародышей до сверхкритических размеров с результирующим обеднением адатомами зон захвата вокруг зародышей.
5. Конкурирующим процессом на этапе 4 является образование критических зародышей на площадях, не обедненных адатомами.
6. Зародыши соприкасаются друг с другом и срастаются, с тем чтобы образовать новый островок, занимающий площадь меньше, чем сумма площадей двух начальных зародышей; это приводит к увеличению свободной поверхности подложки.
7. Атомы адсорбируются на этих вновь освободившихся участках, и наступает процесс «вторичного» образования зародышей.
8. Большие островки срастаются, оставляя каналы или полости на подложке.
9. Каналы и полости заполняются в результате вторичного зародышеобразования и в конце концов образуется непрерывная пленка.
Некоторые из этих этапов схематически показаны на рис. 1 Различают четыре стадии процесса роста: зарождение частиц новой фазы (зародышей) и островковой структуры, срастание или коалесценция островков, образование каналов, образование непрерывной пленки. Ниже эти стадии будут обсуждаться очень подробно, в основном, на основании электронно-микроскопических исследований.[1]
Рис. 1. Схема стадий роста пленки.
Зарождение частиц новой фазы
На этом этапе происходит столкновение атомов из газовой фазы с поверхностью подложки, после чего атомы могут прочно закрепиться на подложке, либо через некоторое время реиспариться, либо упруго отразиться от поверхности. Схема возможных процессов на поверхности подложки представлена на рис.2.
| Взаимодействие с дефектами подложки | Поверхностная диффузия | Химическое связывание, зародышеобразование | Объемная диффузия |
Рис. 2 Схема возможных процессов на поверхности подложки
Вероятность упругого отражения может быть оценена как:
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--