Реферат: Схема сопряжения датчика с ISA

x₁ =x₂ =1, т.е. U_x1 =U_x2 =U¹ ® “1”

МЭТ выполняет следующие функции:

1. Операция “И”

2. Усиление сигнала.

3. VD1, VD2.

4. VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ.

VD1 ® (база-эмиттер VT1)х₁ ,

VD2 ® (база-эмиттер VT1)х_2.

Диод смещения VD3 ® база-коллектор VT1

Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход база-коллектор VT1 смещён в прямом направлении, Þ режим активный инверсный

U_{к-э МЭТ} » 0,1 В

Uа = U_{б-к VT1 о} + U_{б-э VT2 о} – U_{к-э VT1} » 1,5 В

VT2, R2 реализуют “НЕ”. Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт, насыщен. Rвых мало (» 5..40 Ом) Þ Uy = U⁰ » 0,2В

2 случай

Ux₁ = 0,2В Ux₂ = 4В

(Up – Un)_{VT1 x1} = U_ИП – Ux₁ =5 – 0,2 = 4,8В

Открыт, т.о. Ua = U_{б-э VT1 x1 откр.} + Ux₁ = 0,8 + 0,2 = 1В

Для того, чтобы открыть VT1_б-к и VT2_э-б требуется

VT2 закрыт.

МЭТ находится в открытом и насыщенном состоянии. Режим активный и насыщенный.

ЛЭ ТТЛ-типа серии К155

1. К_раз мало в ТТЛ с простым инвертором

2. Rвых » Rк VT

Для устранения недостатка применяют ТТЛ со сложным инвертором.

Рис.4 ЛЭ ТТЛ-типа со сложным инвертором.

Состав схемы

1. На VT1 МЭТ и R1 собран коньюнктор .

2. Сложный инвертор (VT2-VT5, R2-R5).

3. Демпфирующий диод VD3.