Реферат: Свойства арсенида индия
синтез арсенида металла II группы;
гидролиз арсенида с получением арсина;
очистка арсина сорбцией;
вымораживание и ректификация;
разложение арсина до металлического мышьяка.
Мышьяк, полученный по приведенным схемам, с успехом используется для синтеза арсенида индия. Кроме того, треххлористый мышьяк находит широкое применение для нарашивания эпитаксиальных слоев арсенида индия.
Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.
Газотранспортные процессы, в основе которых лежат обратимые химические реакции, широко применяются для получения эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3 В5 . Основными достоинствами процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида индия из газовой фазы в проточной системе являются:
простота конструктивного оформления процесса;
низкое пересыщение вещества над растущим кристаллом;
сравнительно невысокие температуры кристаллизации, возможность предотвращения загрязнения материалом контейнера;
возможность управления процессом роста изменением скорости потока и концентрации транспортирующего агента;
широкие возможности легирования слоев различными примесями;
возможность автоматизации процесса;
осуществление непрерывного процесса;
возможность получение многослойных структур и заданной морфологии.
Суммарные реакции, наиболее часто используемых для осаждения эпитаксиальных слоев арсенида индия и переноса компонентов, в общем виде мощно представить следующим образом:
4InГ3 +As4 +6H2 «4InAs+12HГ;------(8)
3As+2InГ3 +3/2H2 «3AsГ+2In+3HГ,----------(9)
3AsГ+2In«2InAs+AsГ3 ;------(10)
In+As«InAs;------------(11)
2InAs+3Г2 «InГ3 +As2 ;------(12)
2InAs+H2 O«In2 O+As2 +H2 ;------(13)
где Г - галоген. Арсенид индия в виде эпитаксиальных слоев получают методами транспортных реакций либо синтезом из элементов, либо пересублимацией соединения. Для переноса чаще всего используют галоиды (трихлориды элементов III и V групп, хлористый водород) и воду. Галоидные системы (хлоридные, йодидные) имеют преимущества перед системой H2 O-H, поскольку хлор и йод являются нейтральными примесями для арсенида индия.
Система In-AsCl3 -H2 .
Достоинствами системы можно считать:
малое число исходных компонентов в системе;
устранение предварительного получения InAs, используемого в качестве источника;
возможность глубокой очистки AsCl3 ректификацией;