Реферат: Технические и эксплуатационные характеристики устройств флэш-устройства
Введение
По практичности флэш-устройствам нет равных среди всех сменных носителей. Большой и постоянно растущий объем, высокое быстродействие и надежность хранения данных, компактность, низкое энергопотребление и, наконец, удобство подключения — вот секрет их популярности. За последнее десятилетие флэш-устройства стали одними из самых популярных носителей информации.
Я считаю, что реферат на данную тему является актуальным, так как мы повседневно используем данные носители информации и должны знать их характеристики для более эффективной работы с этими устройствами.
Для того, чтобы разобраться в принципе работы флэш-устройств и выявить основные их свойства, нужно начать с определения.
Флэш-устройство – это носитель информации, использующий флэш-память для хранения данных.
Так как принцип работы устройства основан на принципе действия флэш-памяти, я начну исследование данной темы именно с неё (флэш-памяти).
Флэш-память.
Флеш-память была изобретена Фудзи Масуока в 1984 году. Имя «флеш» было придумано коллегой Фудзи, Сёдзи Ариизуми, потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash ).
Флэш-память - особый вид энергонезависимой, перезаписываемой полупроводниковой памяти. Если рассматривать подробнее:
· энергонезависимая - не требующая дополнительной энергии для хранения данных (энергия требуется только для записи);
· перезаписываемая - допускающая изменение (перезапись) хранимых в ней данных;
· полупроводниковая (твердотельная), то есть не содержащая механически движущихся частей (как обычные жёсткие диски или CD), построенная на основе интегральных микросхем (IC-Chip).
В отличие от многих других типов полупроводниковой памяти, ячейка флэш-памяти не содержит конденсаторов – типичная ячейка флэш-памяти состоит всего-навсего из одного транзистора особой архитектуры. Ячейка флэш-памяти прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаря успехам в миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивным находкам, позволяющим в одной ячейке флэш-памяти хранить несколько бит информации.
Флэш-память исторически происходит от ROM (Read Only Memory) памяти, и функционирует подобно RAM (Random Access Memory). Данные флэш хранит в ячейках памяти, похожих на ячейки в DRAM, но в отличие от DRAM, при отключении питания данные из флэш-памяти не пропадают. Не смотря на такие отличительные способности Flash-памяти, замены памяти SRAM и DRAM флэш-памятью не происходит из-за двух особенностей флэш-памяти: флэш работает существенно медленнее и имеет ограничение по количеству циклов перезаписи (от 10.000 до 1.000.000 для разных типов).
Существует 2 типа флэш-памяти:
NOR
В основе этого типа флеш-памяти лежит элемент, основанный на принципе ИЛИ‑НЕ(NOR – логическая операция НЕ-ИЛИ; принимает значение "истина" только когда на оба входа подается "ложь").
Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.
Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.
Чип NOR-памяти можно очистить только целиком. Хотя в более современных видах данной технологии чип разбит на несколько блоков, занимающих обычно 64, 128 или 256 Кбайт. Зато этот тип памяти имеет внешнюю шину адресов, что позволяет побайтное чтение и программирование (запись). Это позволяет не только максимально точно получать доступ к данным напрямую, но и исполнять их прямо "на месте", не выгружая всю информацию в оперативную память.
В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.
NAND
В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент. Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.
NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.
Вывод: таким образом, можно заметить, что у NAND-флэш-памяти больше скорость записи и меньше площадь чипа.
Типы карт флэш-памяти
Существуют несколько типов карт памяти, используемых в портативных устройствах:
Compact Flash (CF). CF - один из самых старых и распространенных стандартов карт флэш-памяти, доживших до наших дней. Существует два типа карт CF, это CF I (размеры 43×36×5 мм) и CF II (размеры 43×36×3,3 мм). Существование карт такого размера в наши дни обусловлено тем, что тип CF всегда лидировал по максимальному объёму памяти, хотя в последнее время даннй тип флэш-карт всеже сдает свои позиции картам SD и MMS. Карты CompactFlash выпускают многие производители: различными по скорости и по цене. Сегодня доступны карты CF объемом до 8 Гб. Что же касается скорости чтения или записи, то они зависят от производителя, от серии и от объема карты.
Multi Media Card (MMC). Карта MMC малогабаритна: 24×32×1,4 мм и весит всего 2 грамма.. Карты MMC имеют 100%-совместимость с устройствами, использующими карты типа SecureDigital. Имеющиеся на рынке MMC-карты имеют объем до 4 Гб.
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--