Реферат: Усилитель модулятора лазерного излучения
4. Температура перехода 
К.
3.3.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора
3.3.3.1 Схема Джиаколетто
 |
?????????????? ???????????? ??????????, ??? ???? ?? ???????? ??????? ???????? ?????????? ?? ???????? ?????????????? ????????. ???????? ??????????? ??? ????? ??????? ? ??????? ????????? ?????? ?????? ????????????? ??? ?????? ?????????? ????????????? ????. ???????? ?????? ?? ??? ???????? ?? ???? ??????? ????? ? ???????? ? ???? ??? ????????? ? ???????????????? ???????????. ???????? ???????????????? ????????????? ?????- ????? ???????????, ??????? ???????????? ?? ??????? 3.6. ????????? ???????? ????? ????? ????? [3].
Рисунок 3.6 – Схема Джиаколетто
Достоинство этой схемы заключается в следующем: схема Джиаколетто с достаточной для практических расчетов точностью отражает реальные свойства транзисторов на частотах f £ 0.5f т ; при последовательном применении этой схемы и найденных с ее помощью Y - параметров транзистора достигается наибольшее единство теории ламповых и транзисторных усилителей.
Расчитаем элементы схемы, воспользовавшись справочными данными и приведенными ниже формулами [2].
|
В
?????????? ?????? ??? ??????????? ??610?:
C к - емкость коллекторного перехода,
t с - постоянная времени обратной связи,
b о - статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ.
Найдем значение емкости коллектора при U кэ =10В по формуле :
(3.3.12)
 |
??? U ¢ кэо – ?????????? ??? ?????????? ???????? ??????????;
U кэо – требуемое значение напряжения.
Сопротивление базы рассчитаем по формуле:
(3.3.13)
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ найдем по формуле:
(3.3.14)
Найдем ток эмиттера по формуле:
(3.3.15)
А
Найдем сопротивление эмиттера по формуле:
(3.3.16)
где I эо – ток в рабочей точке, занесенный в формулу в мА.
Проводимость база-эмиттер расчитаем по формуле:
(3.3.17)
Определим диффузионную емкость по формуле:
(3.3.18)
Крутизну транзистора определим по формуле:
 |  |
(3.3.19)