Реферат: Усилитель постоянного тока 2

Отношение коэффициентов усиления дифференциального сигнала к синфазному, являющееся важнейшим показателем ДУ, называют коэффициентом ослабления синфазного сигнала Кос.сф.

Для симметричного выхода:

Для несимметричного выхода из выражений (1) и (4) по­лучим (без учета Rн)

Таким образом, в случае симметричного выхода синфазный сигнал подавляется в значительно большей степени.

Погрешность функционирования ДУ возникает вследствие разбаланса параметров двух половин схемы. В идеально сим­метричном ДУ при отсутствии входного сигнала Uвых = 0. В реальной схеме из-за различия параметров (токов коллектора и тепловых токов переходов, резисторов коллекторной цепи) выходное напряжение отлично от нуля. Для установки нуля на выходе необходимо на вход подать некоторое напряжение, на­зываемое напряжением смещения нуля Uсм. Это напряжение можно определить при Iк1Rк1 =Iк2Rк2 как разность напряжений на эмиттерных переходах, а именно Uсм = Uэб01 - Uэб02. Зависи­мость напряжения смещения от температуры, т. е. дрейф на­пряжения смещения, приведенный ко входу усилителя, опреде­ляется следующим образом:

Следовательно, величина дрейфа напряжения в ДУ прямо про­порциональна напряжению смещения нуля. При комнатной температуре дрейф составляет приблизи­тельно 3 мкВ/˚C на 1 мВ напряжения смещения.

В интегральных схемах ДУ напряжение смещения нуля не­велико вследствие идентичности технологических процессов и тепловых режимов транзисторов. Обычные значения Uсм = 1 ... 5 мВ. В этих случаях UдрвхДУ составляет 3-15 мкВ/˚С, что на 2-3 порядка меньше, чем в небалансной схеме (2,2 мВ/С).

Дополнительная составляющая дрейфа в ДУ возникает за счет не идентичности входных токов транзисторов Т1 и Т2, уси­лителя и их изменения с температурой. При одинаковых сопро­тивлениях во входных цепях ДУ токовая составляющая по­грешности определяется разностью токов покоя баз транзисторов Т1 и Т2. С учетом последнего э. д. с. дрейфа в ДУ, приведенная ко входу,

Здесь - дрейф разности входных токов транзисторов Т1, Т2, равный blб0разн, где b = -0,005 1/°С.

Очевидно, что токовая составляющая влияет тем меньше, чем меньше RГ, R’Э, и Iб0. Поэтому входные каскады ДУ обычно работают с малыми токами.

5. Выбор транзисторов.

Для обеспечения малого дрейфа ДУ выбираем транзистор КТ312Б, имеющий малый тепловой ток и небольшой коэффициент β.

Входная характеристика: Выходная характеристика:

Размеры транзистора КТ312Б:

Характеристика прямой передачи:

6. Расчет оконечного каскада с общим эмиттером.

7. Расчет схемы перехода.

8. Расчет дифференциального каскада.

9. Перечень элементов.

Наименование на принципиальной схеме	Тип элемента	Количество
Транзисторы
VT1-VT6	КТ312Б	6
Резисторы
R1, R10	МЛТ-0,125-680кОм±5%	2
R2, R11	МЛТ-0,125-510 кОм±5%	2
R3, R9	МЛТ-0,125-100 кОм±5%	2
R4, R8	МЛТ-0,125-3.9 кОм±5%	2
R5	МЛТ-0,125-15 кОм±5%	1
R6	МЛТ-0,125-62 кОм±5%	1
R7	МЛТ-0,125-18кОм±5%	1
R12	МЛТ-0,125-270 кОм±5%	1
R13	МЛТ-0,125-130 Ом±5%	1
R14	СП3-38б-390 Ом±5%	1
R1, R10	МЛТ-0,125-680кОм±5%	2
R2, R11	МЛТ-0,125-510 кОм±5%	2
Стабилитроны
VD1, VD2	КС407Г	2
VD3	КС508Б	1

10. Разводка платы и сборочный чертёж.

Верхняя сторона печатной платы с расположением элементов:

Нижняя сторона платы с разводкой проводников:

Размеры печатной платы: 74 x 35 мм.

11. Список литературы.

1. Войшвилло Г.В. «Усилительные устройства», Москва, «Радио и связь», 1983 г.

2. «Проектирование усилительных устройств» под редакцией Терпугова Н.В., Москва, «Высшая школа», 1982 г.

3. Цыкина А.В. «Проектирование транзисторных усилителей низкой частоты», Москва, «Связь», 1968 г.

4. «Полупроводниковые приборы: транзисторы» под общей редакцией Горюнова Н.Н., Москва, «Энергоатомиздат», 1985 г.

5. Остапенко Г.С. «Усилительные устройства», Москва, «Радио и связь», 1989 г.