РГРТА

Кафедра КПРА

Курсовая работа по курсу: “Технологические процессы микроэлектроники”

На тему: ”Усилитель промежуточной частоты”

Выполнил ст. гр. 9 52

Проверил:

Рязань 200 2

Содержание

Кафедра КПРА.. 1

Рязань 2001. 1

Содержание. 2

Исходные данные: . 3

Введение . 4

Анализ технического задания . 5

Разработка топологии . 6

Резисторы. 6

Конденсаторы .. 11

Заключение…………………………………………………………………………………………….16

Список литературы .. 17

Исходные данные:

Номиналы

R1, R10 – Резистор 12.0 kОМ 2шт; C1, C4 – Конденсатор 0.03 мкФ 2шт

R2 – Резистор 7.5 kОМ 1шт; С2, С5 – Конденсатор 6800 рФ 2шт

R3 – Резистор 5.0 kОМ 1шт; С3, С6 – Конденсатор 1500 рФ 2шт

R4, R7 – Резистор 15.0 kОМ 2шт;

R5 – Резистор 2.0 kОМ 1шт; VT1, VT2 – Транзистор КТ324В 2шт

R6 – Резистор 510 ОМ 1шт; (СБО.336.031 ТУ)

R8 – Резистор 0.34 kОМ 1шт;

R9 – Резистор 2.8 kОМ 1шт; ТР1 – Трансформатор ВЧ. 1шт

Плату следует изготовить методом фотополитографии.

Эксплуатационные требования: Т_р = -15⁰ +40⁰ С, t_э = 1000 ч., корпус, серия К151,159.

Введение

Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная.

В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов. Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросхемами (ПИМС). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (ГИМС), у которых часть элементов, имеющих самостоятельное конструктивное оформление, вносится в виде навесных деталей.

Чрезвычайным важными характеристиками микросхем является степень интеграции и плотность упаковки. Степень интеграции представляет показатель сложности микросхемы и характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Плотностью упаковки называется отношение числа элементов и компонентов микросхемы к ее объему.

Анализ технического задания

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--