Реферат: УСИЛИТЕЛЬ РАДИОРЕЛЕЙНОЙ ЛИНИИ СВЯЗИ
rэ=
=1,82 (Ом), - сопротивление эмиттера,
где Iк0 взят в мА;
gбэ=
=0,0036 (См), – проводимость перехода база-эмиттер,
где β0 – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ;
Cэ=
=24,3 (пФ), - ёмкость эмиттерного перехода,
где fт граничная частота транзистора;
Ri= 
=333 (Ом), gi=0.003(См),
где Ri и gi выходные сопротивление и проводимость транзистора соответственно.
2.2.2.2Расчёт однонаправленной модели транзистора.
Данная модель применяется в области высоких частот [5].
 |
Рисунок 2.2.2.2.1- Однонаправленная модель транзистора.
Lвх= Lб+Lэ=(2,5+2,5)нГн=5 (нГн) – входная индуктивность транзистора,
где Lб и Lэ индуктивности базы и эмиттера соответственно;
Rвх=rб=11,43 (Ом) – входное сопротивление;
Rвых=Ri=333 (Ом) – выходное сопротивление;
Свых=Ск(треб)=0,9 (пФ) – выходная ёмкость;
fmax=fт=4,5 (ГГц) – максимальная граничная частота.
2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации.
2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация.
 |
????????? ????????????????? [5] ?????? ???????????? ? ?????????? ????????, ??? ??? ?????? ???????? ? ??? ??? ???? ?? ??????????? ? ?? ???????? ?????????? ?????? ?? ????????????, ? ????? ??? ?????? ????????????? ??? ?????????? ? ??????? ????????? ?????????? ??? ?????????? ?? ???????? ????? 3?.
Рисунок 2.2.3.1.1- Каскад с эмитерной термостабилизацией.
Рассчитаем параметры элементов данной схемы.
URэ=(2÷5)=3 (В);
Eп=Uкэ0+URэ=3+3=6 (В);
Rэ=
=
=136,4 (Ом);
Rб1=
, Iд=10×Iб, Iб=
, Iд=10×
=10×
=1,46 (мА),
где Iд ток базового делителя,
Iб ток базы;
Rб1=
=1575 (Ом), - элемент базового делителя;
Rб2=
=2534 (Ом), - элемент базового делителя.
Наряду с эмитерной термостабилизацией используются пассивная и активная коллекторные термостабилизации [5].
 |
2.2.3.2 Пассивная коллекторная термостабилизация:
Рисунок 2.2.3.2.1- Схема пассивной коллекторной термостабилизации.
URк=6 (В);
Rк=URк/Iк0=6/0.022=273 (Ом);
Eп=Uкэ0+URк=9 (В);
Iб==0.022/150=0,146 (мА),