Реферат: Устройство дистанционного управления

4.2.5. Найдем величину максимального тока эмиттера транзистора VT3

Iэ3макс, мА:

Iэ3макс=Iб4макс (13)

Iэ3макс=80 мА

Iэ3макс=Iк3макс

Uкэ3макс=Uкэ4макс (14)

Uкэ3макс=3,81 В

4.2.6. Найдем величину максимальной мощности, рассеиваемой на транзисторе

VT3, Рк3,Вт:

Рк3=Iк3макс*Uкэ3макс (15)

Рк3=0,08*3,81= 0,305 Вт

4.2.7. По величинам Uкэ3макс=3,81 В, Iк3макс=0,08 А и Рк3=0,305 Вт

выбираем тип транзистора VT3:

Выбираем транзистор КТ-603Е

Справочные данные транзистора КТ-603Е.

Таблица 2

Uкэ3макс, ВIк3max, АРк3, ВтQпер.макс,0СRт,0С/Вт

100,30,5120200

4.2.8. Определим величину предельной мощности, которую может рассеять

выбранный транзистор без радиатора Рк3макс, Вт:

Рк3макс=(Qпер.макс-Qокр.макс)/Rт, (16)

Рк3макс=(120-40)/200=0,4 Вт

Поскольку Рк3 < Рк3макс (0,305<0,4- верно), то радиатор не нужен.

4.2.9. Определим максимальный и минимальный токи базы транзистора VT3

Iб3мин, Iб3макс, мА

Iб3мин=Iнмин/h21э4макс*h21э3макс (17)

где h21э4макс, h21э3макс- справочные данные транзистора

Iб3мин=0,95/50*200=0,095 мА

Iб3макс=Iк3макс/h21э3мин (18)