Шпаргалка: Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника
Разброс параметров и характеристик, взаимозаменяемость транзистора.
5 Полевые транзисторы
Устройство и принцип действия. Классификация полевых транзисторов, технологические и конструктивные особенности. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и с изолированным затвором: режимы работы с обогащением и обеднением канала. Схемы включения с общим истоком, общим затвором и общим стоком. Статистические характеристики, триодная и пентодная области характеристик. Дифференциальные параметры: крутизна, внутреннее сопротивления и статический коэффициент усиления. Емкости. Эквивалентная схема. Частотные свойства. Области применения полевых транзисторов.
6 Различные полупроводниковые приборы
Тиристоры, устройства, классификация. Диодный тиристор, принцип работы, вольтамперная характеристика, статистические и импульсные параметры. Триодный тиристор, семейство вольтамперных характеристик, статические и импульсные параметры. Применение тиристоров.
Теплоэлектрические полупроводниковые приборы: термистор, болометр и термоэлемент: устройство, параметры, применение. Полупроводниковые резисторы и варисторы. Датчики Холла.
Шумы и шумовые параметры полупроводниковых приборов.
Раздел II. Оптоэлектронные и квантовые приборы
Оптоэлектронные и квантовые приборы.
Светоизлучатели и фотоприемники.
Фотоприемники. Фотопроводимость полупроводников. Фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор: устройство. принцип работы, характеристики, параметры, применение.
Светоизлучатели: лазеры и светодиоды. Устройство, принцип применения, параметры и характеристики светодиода.
Полупроводниковые лазеры. Принцип действия, параметры и характеристики. Достоинства полупроводниковых лазеров.
Оптроны: устройство, принцип работы, параметры, характеристики, разновидности и применение.
Индикаторы: жидкокристаллические, полупроводниковые и газоразрядные. Применение.
Раздел III. Микроэлектроника
1 Технологические основы микроэлектроники
Комплексная микроминиатюризация. Основная задача микроэлектроники. Классификация изделий микроэлектроники.
Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) (эпитаксия, термическое окисление, диффузия, ионное легирование, фотолитография, металлизация).
Диоды полупроводниковых ИМС. Диодное включение транзисторов.
Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы, транзисторы с барьером Шотки. Горизонтальные и вертикальные р-n-р транзисторы и супербета-транзисторы.
МДП с одним типом кандалов (n-МДП, p-МДП) и с двумя типами каналов (комплементарные КМДП). Особенности этих схем.
Параметры и характеристики пассивных элементов полупроводниковых ИМС (диффузионных и ионно-легированных резисторов, диффузионных и МДП конденсаторов) и отличие их от соответствующих параметров и характеристик дискретных резисторов и конденсаторов.
Температурные коэффициенты сопротивлений и емкостей пассивных элементов полупроводниковых ИМС, их основные отличия от дискретных пассивных компонентов.
Способы изоляции между компонентами ИМС и их особенности.
Способ изоляции элементов в полупроводниковых ИМС, выполненных на основе биполярных структур и последовательность технологических операций при их изготовлении.
Гибридные интегральные микросхемы (микросборки). Особенности толстопленочных и тонкопленочных ИМС, а также параметры и характеристики их пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, индуктивностей).
Основные этапы сборки и типы корпусов для полупроводниковых и гибридных ИМС.
2 Аналоговые микросхемы.