Статья: Экспериментальное подтверждение двойственности свойств магнитного поля

≡h (17)

является глубиной проникновения переменного электромагнитного поля в материал втулки (h = 1, 34 10м).

Подставляя в формулу мощности нагрева проводника

N 4 = σ E V (18)

равенства (16), (17), имеем

N 4= σ ω μ hF H (19)

Параметры и результаты двух вариантов опытов сведены в таблице 1

Таблица 1

Параметры и результаты опытов	Схемы расположения рамок и алюминиевой втулки
f [Гц]	50		50
i [A ]	0,55		0,30
L [см.]	6		6
H [A /м ]	300		164
F [м]	2,8 10		2,2 10
∆1 [мин]	4,3		4,1
∆2 [мин]	9,4		6,5
N 3[Вт]	6,3 10
N 4[Вт]	2,7 10
2N 3 [Вт]	3,4 10
2N 4[Вт]	1,2 10
W[Дж]	3 10	2 ,3 10

Циркуляционного магнитного поля в месте расположения втулки не было, что подтверждалось практически с использованием измерительной катушки, в которой ЭДС не наводилась.

В опытах имело место переменное электрическое поле избыточных зарядов, являвшегося причиной магнитоэлектрической индукции. Поскольку поле избыточных зарядов проникает в тонкий поверхностный слой проводника (h = 10м), то малый объём индукционного нагрева заметным образом не влиял на результаты опытов.

5.Магнито-термический эффект. Для подтверждения существования стационарного потенциального магнитного поля использовался магнито-термический эффект (МТЭ), аналогичный известному охлаждению электропроводника циркуляционным магнитным полем. Уменьшение температуры электропроводника объясняется уменьшением энтропии системы электронов в нём в связи с некоторым упорядочением их движения магнитным полем. В качестве источника стационарного потенциального магнитного поля вначале использовались разнесённые центрально-симметричные постоянные токи в паре многовитковых рамок. Затем совмещённые противонаправленные токи в коаксиальном кабеле. Охлаждаемым телом был полупроводниковый кристалл стабилитрона ( 200 кОм/град.). В обоих случаях получены положительные результаты. Регистрируемое изменение омического сопротивления характеризовалось постепенным его нарастанием на 2 – 4 кОм в течении некоторого интервала времени. Первое изменение через 0,2 – 1,0 мин. Последнее – через 3 -- 4 мин.

Размещение стабилитрона внутри толстостенной стальной втулки (D = 3,4 см., d = 1,8 см., L = 6 см) не являлось препятствием для проявления МТЭ.

6.Заключение. Теоретический переход от стационарной локальной центрально-симметричной магнитостатики (9) к её переменному варианту позволил построить 4-мерную математическую модель локальной безвихревой электродинамики, содержащей описание безвихревых видов индукционных явлений и продольной ЭМВ.

Прямые подтверждения существования безвихревого вида электромагнитной индукции и МТЭ являются косвенным подтверждением существования в природе продольных ЭМВ и их светового диапазона.

Литература

1. Желудев И.С. Физика кристаллов и симметрия. М., «Наука», 1987г.

2. Кузнецов Ю. Н. Научный журнал русского физического общества, 1-6, 1995 г,

3. Парселл Э. Электричество и магнетизм. М., Высшая школа.,!980г., стр. 191,192.

Адреса сайтов

4 Кузнецов Ю. Н . http://lovereferats.ru/physics/00007666.html, Основы безвихревой

электродинамики. Потенциальное магнитное поле.

5. Кузнецов Ю. Н . http://lovereferats.ru/physics/00012952.html, Продольные

электромагитные волны, как следствие симметрийно - физической двойственно

сти.