Учебное пособие: Електроніка та мікропроцесорна техніка
План:
1. Вольт-амперна характеристика р-п-переходу
2. Температурні і частотні характеристики переходу. Еквівалентна схема р-п-переходу
3. Створення р-п-переходу
Література
1. Вольт-амперна характеристика р-п-переходу
Властивості електронно-діркового переходу наочно ілюструються його вольтамперною характеристикою (мал. 3.8, а), що показує залежність струму через р-п перехід від величини і полярності прикладеної напруги.
Мал. 3.8. Характеристики р-п переходу: а - вольтамперна; б - опору
Розрізняють два види пробою: електричний (оборотний) і тепловий (необоротний).
Електричний пробій відбувається в результаті внутрішньої електростатичної емісії (зінеровський пробій) і під дією ударної іонізації атомів напівпровідника (лавинний пробій).
Внутрішня електростатична емісія в напівпровідниках аналогічна електростатичній емісії електронів з металу. Суть цього явища полягає в тому, що під дією сильного електричного поля електрони можуть звільнитися від ковалентних зв'язків і отримати енергію, достатню для подолання високого потенційного бар'єру в області р-п переходу. Рухаючись з більшою швидкістю на ділянці р-п переходу, електрони стикаються з нейтральними атомами і іонізують їх. В результаті такої ударної іонізації з'являються нові вільні електрони і дірки, які, у свою чергу, розганяються полем і створюють зростаючу кількість носіїв струму. Описаний процес носить лавиноподібний характер і приводить до значного збільшення зворотного струму через р-п перехід. Таким чином, надмірно збільшувати зворотну напругу не можна. Якщо вона перевищить максимально допустиму для даного р-п переходу величину, то ділянка р-п переходу проб'ється, а р-п перехід втратить властивість односторонньої провідності (тепловою пробою).
Тепловий пробій р-п переходу відбувається унаслідок відривання валентних електронів із зв'язків в атомах при теплових коливаннях кристалічної решітки. Теплова генерація пар електрон-дірка приводить до збільшення концентрації неосновних носіїв заряду і до зростання зворотного струму. Збільшення струму, у свою чергу, приводить до подальшого підвищення температури. Процес наростає лавиноподібно.
Електричний і тепловий пробої р-п переходу у багатьох випадках відбуваються одночасно. При надмірному розігріванні переходу, коли відбувається зміна структури кристала, перехід необоротно виходить з ладу. Якщо ж при виникненні пробою струм через р-п перехід обмежений опором зовнішньому ланцюгу і потужність, що виділяється на переході, невелика, то пробій обернений. В цьому випадку можна управляти зворотним струмом шляхом зміни зовнішньої напруги, що підводиться до переходу.
Аналіз вольтамперної характеристики р-п переходу дозволяє розглядати його як нелінійний елемент, опір якого змінюється залежно від величини і полярності прикладеної напруги (мал. 3.8, б). При збільшенні прямої напруги опір р-п переходу зменшується. Із зміною полярності і величини прикладеної напруги опір р-п переходу різко зростає. Отже, пряма (лінійна) залежність між напругою і струмом (закон Ома) для р-п переходів не дотримується. Нелінійні властивості р-п переходів лежать в основі роботи напівпровідникових приладів, що використовуються для випрямляння змінного струму, перетворення частоти, обмеження амплітуд і т.д.
2. Температурні і частотні характеристики переходу. Еквівалентна схема р-п-переходу
Температурні і частотні властивості р-п переходу
Властивості р-п переходу істотно залежать від температури навколишнього середовища. При підвищенні температури зростає генерація пар носіїв заряду - електронів і дірок, тобто збільшується концентрація неосновних носіїв і власна провідність напівпровідника. Це наочно показують вольтамперні характеристики германієвого р-п переходу , зняті при різній температурі (мал. 3.9). Як видно з малюнка, при підвищенні температури прямий і зворотний струми ростуть, а р-п перехід втрачає своя основна властивість - односторонню провідність.
Залежність від температури зворотної гілки вольтамперної характеристики визначається температурними змінами струму насичення. Цей струм пропорційний рівноважній концентрації неосновних носіїв заряду, яка із збільшенням температури зростає по експоненціальному закону.
Для германієвих і кремнієвих р-п переходів зворотний струм зростає приблизно в 2-2,5 разу при підвищенні температури на кожні 10 °С.
Мал. 3.9. Вплив температури на вольтамперну характеристику р-п переходу
Прямий струм р-п переходу при нагріві зростає не так сильно, як зворотний струм. Це пояснюється тим, що прямий струм виникає в основному за рахунок домішкової провідності. Але концентрація домішок від температури практично не залежить. Температурна залежність прямої гілки вольтамперної характеристики визначається змінами струму і показника експоненти.
Для германієвих приладів верхня температурна межа 70...90°С. У кремнієвих приладів унаслідок більшої енергії, необхідної для відриву валентного електрона від ядра атома, ця межа вища: 120... 150°С.
Властивості р-п переходу залежать також від частоти прикладеної напруги. Це пояснюється наявністю власної ємності між шарами напівпровідника з різними типами провідності.
При зворотній напрузі, прикладеній до р-п переходу, носії зарядів обох знаків знаходяться по обидві сторони переходу, а в області самого переходу їх дуже мало. Таким чином, в режимі зворотної напруги р-п перехід є ємність, величина якої пропорційна площі р-п переходу, концентрації носіїв заряду і діелектричної проникності матеріалу напівпровідника. Цю ємність називають бар'єрною . При малій зворотній напрузі, прикладеній до р-п переходу, носії зарядів протилежних знаків знаходяться на невеликій відстані один від одного. При цьому власна ємність р-п переходу велика. При збільшенні зворотної напруги електрони все далі відходять від дірок по обидві сторони від р-п переходу і ємність р-п переходу зменшується. Отже, р-п перехід можна використовувати як ємність, керовану величиною зворотної напруги.
При прямій напрузі р-п перехід, окрім бар'єрної ємності, володіє так званою дифузійною ємністю. Ця ємність обумовлена накопиченням рухомих носіїв заряду. При прямій напрузі в результаті інжекції основні носії заряду у великій кількості дифундують через знижений потенційний бар'єр і, не встигнувши рекомбінувати, накопичуються в n- і р-областях. Кожному значенню прямої напруги відповідає певна величина заряду накопиченого в області р-п переходу.
Мал. 3.10. Еквівалентна схема p-n переходу
Дифузійна ємність не робить істотного впливу на роботу р-п переходу, оскільки вона завжди зашунтована малим прямим опором переходу. Найбільше практичне значення має бар'єрна ємність. У зв'язку з цим еквівалентна схема р-п переходу (схема заміщення) для змінного струму має вигляд, показаний на мал. 3.10. При зворотній напрузі дифузійна ємність відсутня і має дуже велику величину. При роботі на високих частотах опір ємності зменшується, і зворотний струм може пройти через цю ємність, не дивлячись на велику величину опору. Це порушує нормальну роботу приладу, оскільки р-п перехід втрачає властивість односторонньої провідності. Тому для роботи на високих частотах використовуються в основному точкові напівпровідникові прилади, у яких площа р-п переходу незначна і власна ємність мала.
В даний час є напівпровідникові прилади, що успішно працюють в дуже широкому діапазоні частот - до сотень мегагерц і вище.
3. Створення р-п-переходу