Дипломная работа: Исследование динамических характеристик электроприводов постоянного тока при различных способах возбуждения

Конечно, более предпочтителен первый способ обеспечения надёжности СТК, но здесь возникают две сложности. Во-первых, ВП развивается достаточно быстро и защита должна быть достаточно быстродействующей. Во-вторых, довольно сложно зарегистрировать предпробойное состояние транзистора и принять своевременные меры к его предотвращению. Этот способ возможно реализовать лишь для процесса включения СТК, основываясь на деформации входных вольт-амперных характеристик.

С точки зрения простоты схемной реализации наиболее удобным оказывается критерий, позволяющий определить границу ОБР по резкому возрастанию тока коллектора. В этом случае СТК включается на 1–2 мкс, по истечении которых определяется ток через силовой транзистор. Если этот ток превышает критическое значение, то поступает команда на выключение силового транзистора, если нет – силовой транзистор остаётся включённым.

Время развития ВП при изотермическом процессе шнурования тока (в процессе выключения) составляет несколько десятков наносекунд, поэтому практически отсутствует схемная возможность выявить предпробойное состояние и принять меры к его предотвращению.

Для обеспечения надёжной работы силового транзистора при запирании в настоящее время используются в основном три разомкнутых способа управления.

Первый сводится к автоматической регулировке управляющего тока с обеспечением заданной начальной форсировки и последующим отслеживанием малой глубины насыщения выходного транзистора

Этот способ наиболее просто реализуется цепью нелинейной диодной обратной связи, охватывающей управляющий транзистор (рис. 2.5 а).

Рисунок 2.5. Схемы защиты силового транзистора

Второй способ, обеспечивающий форсированное выключение силового транзистора, эффективно реализуется в каскадной схеме соединений высоковольтного и низковольтного транзисторов (рис. 2.5 б)

При этом низковольтный транзистор включен в цепь эмиттера высоковольтного транзистора.

На рис. 2.6 приведена схема, в которой реализуются оба рассмотренных способа. Эту схему можно считать самой надёжной с точки зрения обеспечения ОБР, однако, лишний транзистор в силовой цепи, особенно при больших токах, делает её малопривлекательной для проектировщиков.

Рисунок 2.6. Универсальная схема защиты силового транзистора

Наконец, третий способ обеспечения надёжной защиты СТК при запирании сводится к использованию цепей формирования траектории выключения.

Примеры выполнения цепей формирования траектории (снаберов) для силовой транзисторной стойки приведены на рис. 2.7. Здесь же приведены траектории переключения силовых транзисторов.

Рисунок 2.7. Демпфирующие цепи СТК

Простая RC-цепочка (рис. 2.7 а) обычно не устраивает проектировщиков, т. к. допускает значительное превышение напряжения на коллекторе транзистора в процессе запирания.

Типовым решением является схема, приведённая на рис. 2.7 б.

Здесь эффективное ограничение коллекторного напряжения СТК в начальный период запирания обеспечивается диодом, шунтирующим разрядное сопротивление.

Ограничение коллекторного напряжения при запирании обеспечивается за счёт выбора достаточно большой ёмкости демпфирующего конденсатора.

Этот конденсатор заряжается после запирания силового транзи?