МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”

Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки

Кафедра напівпровідникової електроніки

ДИПЛОМНА РОБОТА

Вплив легування цинком на властивості

МОН-структур.

Виконав:

Студент групи ФБЕ-61

Ревула Р.Л.

Науковий керівник:

ст.викл., Логуш О.І.

Консультант з економічної частини:

доц., Мороз Л.Г.

Консультант з охорони праці:

доц., Яцюк Р.А.

ЛЬВІВ-2002

Зміст

Вступ

1. ЛІТЕРАТУРНИЙ ОГЛЯД

1.1. Методи вирощування плівок термічного SiO₂ .

1.2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом.

1.3 . Гетерування дефектів в технології напівпровідникових приладів.

2. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ

2.1. Методика вирощування плівок термічного SiO₂ з одночасним легуванням в процесі росту.

2.2. Визначення параметрів технологічного процесу.

2.3. Методика дослідження дефектності діелектричних плівок.

2.4. Методика вимірювання характеристик систем Si-SiO₂ .

3. РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ.

3.1. Дослідження пористості плівок термічного SiO₂ .

3.2 Взаємозв’язок структурної досконалості монокристалічної кремнієвої підкладки і плівокSiO₂ ..

3.3. Гетеруюча дія цинку. Оптимізація технологічного процесу за концентрацією домішки..

3.4. Електрофізичні характеристики структур.

Висновки.

4. Охорона праці.

5. Економічна частина.

Література.

ВСТУП

Використання напівпровідників в електроніці пройшло довгий шлях – від першого детектора на кристалі сульфіду свинцю і до сучасної мікро ЕОМ, яка виконана на кремнієвій пластині, площею меншою 1 см² . Такий результат досягнутий завдяки успіхам технології, яка, в свою чергу, спирається на фізичну електроніку. В наші дні розвиток електроніки безперервно стимулюється успіхами в області фізики напівпровідників і в області технології виробництва нових напівпровіднкових структур та об’єднання їх у великі інтегральні схеми (ВІС).

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--