Доклад: Интегральные микросхемы серии 500

ПЕРЕДАТОЧНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

Передаточная характеристика представляет собой зависимость вы ходного напряжения микросхем от входного напряжения при переключениисхемы из одного состояния в другое. На передаточной характеристикеможно выделить четыре области : 1 - область установившгося значениянизкого выходного напряжения лог."1" для прямого и высокого напряжения лог."0" для инверсного выходов; 2-зона переключения из "1" в "0"для прямого и из "0" в "1" инверсного выходов ; 3 - область устано вившегося значения "0" для прямого и "1" для инверсного выходов ( вэтой области характеристика имеет некоторый наклон, вследствие неидеальности генератора тока ТП ) ; 4 - область насыщения для инверсногоплеча ТП.

Передаточная характеристика основного элемента может быть ис пользована для анализа выходных уровней напряжения в различных режи мах работы , оценки формирующих средств и помехозащищенности элемен тов , определения их совместной работы с другими логическими элемен тами или специальными элементами.

РАСЧЕТ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА

На положительном фронте при активно-емкостной нагрузке наблюда ется колебательный режим. Чем больше Cн , тем этот процесс наиболеевыражен ,также наблюдается наибольший выброс и время установленияtф(+) открытого транзистора.

На tф(-),соответствующему фронту запирания транзистора характерпереходного процесса может измениться, в зависимости от того закрыва ется или нет ЭП . Если ЭП не закрыт на tф(-),то характер процессаповторяется как для tф(+) (колебательный режим). Если tф(-) ЭП закрыт, то характер переходного процесса резко нарушается и имеет вид эк споненциальной функции разряда Cн на Rн.

Характер процесса можно определить по следующим формулам :

tф > Cн х Rн - колебательный (транзистор открыт)

tф < Cн х Rн - переходной (транзистор закрыт)

Высокое быстродействие ИМС серии 500 обеспечивается специальнойсхемотехникой ЭСЛ ИМС - работой транзистора в ненасыщенном режиме,малой амплитутой сигнала,низкими выходным сопротивлением и технологи ей изготовления ИМС.

Основными динамическими параметрами ИМС серии 500 являются за держка распростронения информайии в элементе и фронт переключения изодного логического состояния в другое.

Динамические параметры ИМС серии 500,работающие в составе аппа ратуры,определяются в основном параметрами элементов, величинами наг рузочного сопротивления Rн и суммарной нагрузочной емкости Сн, под ключенных к выходу элемента. Динамические параметры ИМС серии 500незначительно зависят от отклонения напряжения электропитания и изменения температуры окружающей среды.

К-во Просмотров: 143
Бесплатно скачать Доклад: Интегральные микросхемы серии 500