Контрольная работа: Аналогові електронні пристрої
1. Для отриманих значень Uкео і Іко визначимо h - параметри транзистора:
а) h21е - коефіцієнт передачі струму в режимі к. з. на виході для змінного струму за точками Г і Д на графіку 1 додаток А:
h21е = b = DІк/ DІб (1.18)
при Uке=соnst;
h21е = 12∙10-3/ 0,2∙10-3 = 60;
б) h22е - вихідну провідність транзистора в режимі х. х. на вході для змінного струму за точками Е і Ж на тому ж графіку:
h22е = DІк / DUке (1.19)
при Іб = соnst;
h22е = 2 ∙ 10-3/ 5 = 0,4 мСм;
в) h11е - вхідний опір транзистора в режимі к. з. на виході для змінного струму за точками М і Н на графіку 2 додаток А:
h11е = DUбе / DІб (1.20)
при Uке = соnst;
h11е = 40 ∙ 10-3/ 50 ∙ 10-3 = 800 Ом;
г) S - крутизну характеристики транзистора:
S = h21е / h11е ; (1.21)
S = 60/800 = 0,075
д) Rвих - вихідний опір:
Rвих = 1/h22е . (1.22)
Rвих = 1/0,4 ∙ 10-3 = 2500 Ом.
2. Визначимо параметри каскаду за приблизними формулами та порівняємо з результатами графоаналітичного розрахунку:
КІ = h21е ∙ Rвих / (Rн + Rвих); (1.23)
КІ = 60 ∙ 2500/ (5 ∙ 103 + 2500) = 50;
за результатами графоаналітичного розрахунку КІ = 39;
Rвх = h11е = 800 Ом;
за результатами графоаналітичного розрахунку Rвх = 667 Ом;
КU = h21е ∙ Rн / Rвх; (1.24)
КU = 60 ∙ 1 ∙ 103/ 800 = 75
за результатами графоаналітичного розрахунку КU = 147
Кр = КІ ∙ КU (1.25)