Контрольная работа: Аналогові електронні пристрої

1. Для отриманих значень Uкео і Іко визначимо h - параметри транзистора:

а) h21е - коефіцієнт передачі струму в режимі к. з. на виході для змінного струму за точками Г і Д на графіку 1 додаток А:

h21е = b = DІк/ DІб (1.18)

при Uке=соnst;

h21е = 12∙10-3/ 0,2∙10-3 = 60;

б) h22е - вихідну провідність транзистора в режимі х. х. на вході для змінного струму за точками Е і Ж на тому ж графіку:

h22е = DІк / DUке (1.19)

при Іб = соnst;

h22е = 2 ∙ 10-3/ 5 = 0,4 мСм;

в) h11е - вхідний опір транзистора в режимі к. з. на виході для змінного струму за точками М і Н на графіку 2 додаток А:

h11е = DUбе / DІб (1.20)

при Uке = соnst;

h11е = 40 ∙ 10-3/ 50 ∙ 10-3 = 800 Ом;

г) S - крутизну характеристики транзистора:

S = h21е / h11е ; (1.21)

S = 60/800 = 0,075

д) Rвих - вихідний опір:

Rвих = 1/h22е . (1.22)

Rвих = 1/0,4 ∙ 10-3 = 2500 Ом.

2. Визначимо параметри каскаду за приблизними формулами та порівняємо з результатами графоаналітичного розрахунку:

КІ = h21е ∙ Rвих / (Rн + Rвих); (1.23)

КІ = 60 ∙ 2500/ (5 ∙ 103 + 2500) = 50;

за результатами графоаналітичного розрахунку КІ = 39;

Rвх = h11е = 800 Ом;

за результатами графоаналітичного розрахунку Rвх = 667 Ом;

КU = h21е ∙ Rн / Rвх; (1.24)

КU = 60 ∙ 1 ∙ 103/ 800 = 75

за результатами графоаналітичного розрахунку КU = 147

Кр = КІ ∙ КU (1.25)

К-во Просмотров: 502
Бесплатно скачать Контрольная работа: Аналогові електронні пристрої