Контрольная работа: Аналогові електронні пристрої

R5 = 50 × 10^3/ (11,1 - 1) = 5 кОм.

Струми через резистор протікають не значні, тому приймаємо його потужність рівною 0,125 Вт.

16. Ємність конденсатора кола зворотного зв’язку С2 розраховується виходячи з нижніх граничних частот f_Н

(2.15)

= 1,59 мкФ.

Із ряду номіналів приймаємо конденсатор рівний 2 мкФ.

17. Ємність розділювального конденсатора визначається з умови:

1/wC1 = Rвх / 10, (2.16)

де Rвх @ R1, звідси:

(2.17)

= 0,16 мкФ.

Із ряду номіналів приймаємо конденсатор рівний 2 мкФ.

Аналіз схеми. Коло ЗЗ розімкнуто у точці В, а правий вивід R4 заземлений. Вхідний опір підсилювача визначається паралельним з’єднанням опору R1 і вхідному опору транзистора VT1, який складається з збільшеного в h_21е разів власного емітерного опору r_е плюс опір з боку емітера VT2 з урахуванням кола ЗЗ (R5):

, (2.18)

де r_е = 25/Ік [мА].

Rвх = 80 × (2 × (25/5) × 10^-3 + 5 × 10^3/ 80) = 5 × 10³ Ом.

Вихідний опір підсилювача:

R_вих = (Rе / h _21е + R7). (2.19)

де опір Rе = R6, тому що на вихідні транзистори практично працює джерело з опором R6 (опір колектора VT3 значний).

R_вих = (3,2 × 10^3/ 25+ 3) = 131 Ом.

Опір навантаження диференційного каскаду визначається паралельним з’єднанням R2 і вхідним опором з боку Rбе транзистора VT3. Тоді коефіцієнт підсилення диференціальної пари

,

К_д = (2.20)

де r_е3 = 25/Іо₃ = 25/20 = 1,25 Ом,

а вхідний опір з боку бази VT3

Rвх = h _{21е ×} r_{е3. (} 2.21), Rвх = 25 × 1,25 = 31,25 Ом.

Підставляємо дані значення в формулу (2.20)

К_д = = 11,88

Коефіцієнт підсилення проміжного каскаду.