Контрольная работа: Функциональные устройства телекоммуникаций

С_Б’Э =4,3 нФ

Проводимость прямой передачи:

(1.7)

Y_21Э =0,191 См

Рассчитаем параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора по дрейфу [1].

Минимальная температура перехода транзистора

(1.8)

где P_K — мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора;

(1.9)

P_K =48 мВт,

R_ПС =0,5 °С/мВт,

t_Пmin = 14,4°С.

Максимальная рабочая температура перехода:

t_Пmax = t_Сmax + R_ПС P_K (1.10)

t_Пmax =49,4°С

Значение параметра h^/ _21Э транзистора при минимальной температуре перехода:

(1.11)

h^/ _21Э =26,4.

Значение параметра h^// _21Э транзистора при максимальной рабочей температуре перехода:

(1.12)

h^// _21Э =52,3.

Изменение параметра Δh_21Э в диапазоне температур:

(1.13)

Δh_21Э =26

Изменение обратного тока коллектора в диапазоне температур:

(1.14)

ΔI_КБ0 =81 мкА,

где α — коэффициент, принимаемый для германиевых транзисторов в интервале 0,03— 0,035

Эквивалентное изменение тока в цепи базы в диапазоне температур: