Контрольная работа: Функциональные устройства телекоммуникаций

Контрольное задание №1

Исходные данные (Вариант №4):

Еп, В	9
I0K, мА	12
U0КЭ , В	4
EГ , мВ	50
RГ , кОм	0,6
fН , Гц	120
fВ , кГц	10
M, дБ	1
tСМИН , о C	0
tСМАКС , о C	35

Изобразим полную принципиальную схему предварительного каскада элементами связи с источником сигнала и последующим каскадом.

Выберем тип транзистора исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя f_В

Еп=9В; I_0K =12 мА; f_В =10кГц

Возьмем низкочастотный транзистор малой мощности. Например ГТ108А [3]. Это германиевый сплавной транзистор p-n-p типа.

Выпишем его основные параметры из справочника [3]:

Параметры	Режим измерения	ГТ108А
h21ЭМИН	UКЭ =-5В; IЭ =1 мА; tС =20 о C	20
h21ЭМАКС		55
СК, пФ	UКБ =-5В; f=465 кГц	50
τК, нс	UКБ =-5В; f=465 кГц	5
fh21Э, МГц	UКЭ =-5В; IЭ =1 мА	0,5
IКБО, мкА	UКБ =-5В; tС =20 о C	15

Рассчитаем параметры малосигнальной модели биполярного транзистора [1].

Среднее значение коэффициента передачи тока равно:

(1.1)

h _21Э =33,2.

Выходная проводимость определяется как

(1.2)

h _22Э =1,2*10^-4 См.

Здесь U_A — напряжение Эрли, равное 70... 150 В у транзисторов типа р-n-р.

Объемное сопротивление области базы r_Б можно определить из постоянного времени τ_К коллекторного перехода:

(1.3)

r_Б =100 Ом

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:

(1.4)

r _Б’Э =74 Ом

где =2,2 Ом дифференциальное сопротивление эмиттера;

0,026 В — температурный потенциал при Т= 300 К;

m=1 — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1 для германиевых транзисторов.

Входное сопротивление транзистора:

(1.5)

h _11Э =174 Ом

Емкость эмиттерного перехода равна:

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--