Контрольная работа: Функциональные устройства телекоммуникаций

Определим напряжение на коллекторе в рабочей точке:

(2.11)

(2.12)

По результатам расчета статического режима определяются параметры моделей первого и второго транзисторов:

Выходная проводимость определяется как

(2.13)

h₂₂ 1=1,3*10^-5 См, h₂₂ 2=1,2*10^-5 См.

Здесь U_A — напряжение Эрли, равное 100... 200 В у транзисторов типа n-р-n. Примем U_A =100В.

Предельная частота усиления транзистора по току определяется по единичной частоте усиления f_Т :

(2.14)

Граничная частота f_Т находится по формуле:

(2.15)

f_Т1,2 =1,5 ГГц;

=22 МГц.

Объемное сопротивление области базы r_Б можно определить из постоянной времени τ_К коллекторного перехода транзистора, приводимой в справочниках:

(2.16)

r_Б1,2 =2,5 Ом.

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:

(2.17)

r_Б’Э1 =2,2 кОм, r_Б’Э2 =2,2 кОм.

где дифференциальное сопротивление эмиттера;

0,026 мВ — температурный потенциал при Т= 300 К;

m — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1.5 для кремниевых транзисторов.

r_Э1 =31 Ом, r_Э2 =31 Ом.

Емкость эмиттерного перехода равна:

(2.18)

С_Б’Э1 =3,4 пФ; С_Б’Э2 =3,3 пФ

Определим коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивление оконечного каскада, построенного по схеме с ОЭ.

Входное сопротивление транзистора VT2: