Контрольная работа: Одиночные усилительные каскады на биполярных транзисторов

При расчете зависимостей и следует задаваться частотами f=(0,2; 0,5; 1; 2; 5) fн и f=(0,2; 0,5; 1; 2; 5) fв.

Таблица 4—Результаты расчётов для φ(f)

φн1(f)	1,37	1,1	0,75	0,36	-0,12
f от fн1	0,0032	0,008	0,016	0,032	0,08
φв1(f)	0,12	-0,36	-0,75	-1,1	-1,37
f от fв1	0,05	0,125	0,25	0,5	1,25
φн2(f)	1,25	0,87	0,47	0,1	-0,38
f от fн2	0,0052	0,013	0,026	0,052	0,13
φв2(f)	0,12	-0,35	-0,75	-1,1	-1,37
f от fв2	79,618	199,045	398,09	796,18	1990,45

Таблица 4—Результаты расчётов для КЕ(f)

КЕ1(f)	0,44	1,01	1,64	2,1	2,22
f от fн1	0,0032	0,008	0,016	0,032	0,08
КЕ1(f)	2,22	2,1	1,64	1,02	0,44
f от fв1	0,05	0,125	0,25	0,5	1,25
КЕ2(f)	0,02	0,04	0,05	0,06	0,06
f от fн2	0,012	0,027	0,042	0,054	0,059
КЕ2(f)	0,059	0,054	0,042	0,027	0,012
f от fв2	79,618	199,045	398,09	796,18	1990,45

Построим частотные KE(f) и фазовые j(f) характеристики усилителей.

Рисунок 11—Фазовые j(f) характеристики усилителей (масштаб для f: φн1(f)=100:1, φв1(f)=10:1, φн2(f)=100:1, φв2(f)=1:200)

Рисунок 12—Частотные KE(f) характеристики усилителей (масштаб для: KE (f н1)=2:1, KE(f в1)=2:1, KE(f н2)=200:1, KE(f в2)= 200:1, f н1=100:1, f в1=10:1, fн2=100:1, f в2= 1:200)

Рассчитаем коэффициенты частотных искажений Мн и Мв.

Коэффициенты частотных искажений определяем из выражений:

Для схемы с общим эмиттером:

,

где ;

;

, ;

, ωв1=2πfв1.

Согласно формулам производим расчёты:

ωв1=2πfв1=2∙3,14∙0,25=1,57;

ωн1=2πfн1=2∙3,14∙0,0016=0,01;

Для схемы с общим коллектором:

,

где ;

,;

, .

Согласно формулам производим расчёты: