Контрольная работа: Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

Iб=5 мА не более……………………………………………………......3 В;

Статистический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5В, Iэ=1 мА:

при Т=293К:

ГТ108А……………………………………………………….20 – 50;

ГТ108Б………………………………………………………..35 – 80;

ГТ108В…………………………………………………....…...60 –130;

ГТ108Г………………………………………………………110 – 250;

при Т=328К:

ГТ108А………………………………………………………..20 – 100;

ГТ108Б…………………………………………………………...35 – 160;

ГТ108В……………………………………………………....…...60 – 260;

ГТ108Г…………………………………………………………….110 – 500;

при Т=243К:

ГТ108А…………………………………………………………….15 – 50;

ГТ108Б……………………………………………………………..20 – 80;

ГТ108В……………………………………………………....…...40 – 130;

ГТ108Г……………………………………………………………...70 – 250;

- Обратный ток коллектора при Uкб=5В не более:

При Т=293К……………………………………………………….10 мкА;

При Т=328К………………………………………………………250мкА;

- Обратный ток эмиттера при Uкб=5 В не более…………………15 мкА;

- Ёмкость коллекторного перехода при Uкб=5 В, f=1 МГц не более…..50 пФ;

- Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, Iэ=1 мА,

f=465 кГц не более…………………………………………………..…5 нс.

3. Предельные эксплуатационные данные полупроводникового прибора

1) Диод Д202:

- Постоянное (импульсное) обратное напряжение ………………100 В;

- Средний прямой ток:

при наличии теплоотводящего шасси площадью 40 см² ….…....400 мА;