Контрольная работа: Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

- Постоянное напряжение коллектор-база…………………….………5В;

- Импульсное напряжение коллектор-база при τи ≤ 5мкс……….…80В;

- Полное тепловое сопротивление……………………….……..0,8 К/мВт;

- Постоянный ток коллектора……………………………………….50 мА;

- Температура перехода………………………………………………353К;

- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Т=293К……………………………………………………..75 мВт;

при Т=328К……………………………………………………...33,3 мВт;

- Температура окружающей среды………………………от 228 до 328 К.

4. Вольтамперные характеристики полупроводникового прибора

Рисунок 1. - Вольтамперная характеристика диода

Рисунок 2. - Вольтамперная характеристика стабилитрон

Рисунок 3. - Входные и выходные характеристики транзистора

5. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

1) Диод Д202:

S- крутизна вольтамперной характеристики;

R_i - внутреннее сопротивление по переменному току;

R₀ - внутреннее сопротивление по постоянному току;

К_ВЫП - коэффициент выпрямления;

2) Транзистор ГТ108: