Контрольная работа: Термостабилизированный логарифмический усилитель

Для этого вместо резисторов R16, R17 включают переменный резистор. В разрыв цепи эмиттера транзистора VT4 включают миллиамперметр. Вращая ручку переменного резистора добиваются нулевых показаний миллиамперметра. Далее каким – либо прибором для измерения температуры контролируем температуру корпуса микросхемы DD1. Также включаем переменный резистор вместо резистора R11 и вращая ручку добиваемся показания термометра равным . Измеряем сопротивления плеч переменных резистором и заменяем соответствующие резисторы резисторами уточненного номинала.

При выбранной температуре кристалла (что соответствует мВ) и температуре среды точность поддержания температуры не хуже . На рис.2 показана передаточная функция логарифмического усилителя при различных температурах окружающей среды.

Рис.2 Передаточная функция логарифмического усилителя при различных температурах окружающей сpеды: 1 – T_ср =, без стабилизации; 2 – Т_ср =, без стабилизации; 3 – Т_ср = со стабилизацией.

При изменении температуры среды от наклон функции не меняется, происходит только увеличение выходного напряжения логарифмического усилителя на В, что видимо вызвано градиентом температурного поля в кристалле. Влияние утечек в кристалле со схемы терморегуляции на схему логарифмического усилителя в диапазоне напряжений до мВ не наблюдалось.

2) Установка нуля на выходах операционных усилителей DA1, DA2 при отсутствии сигнала на входе.

Этого добиваются регулировкой переменного резистора R6 для операционного усилителя DA1, и переменного резистора R10 для операционного усилителя DA2.

3) Установка нуля на выходе термостабилизированного логарифмического усилителя при отсутствии сигнала на входе.

Это достигается регулировкой положения движка подстроечного резистора R3.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе был описан логарифмический усилитель с температурной стабилизацией, а также рассмотрены общие характеристики логарифмических усилителей, исследована возможность построения термостабилизированного логарифмического усилителя с помощью интегральных транзисторных сборок К198НТ5Б.

В ходе работы над курсовым была разработана электрическая схема. Также была разработана печатная платы для данного устройства.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Воробьев Н.И., Проектирование электронных устройств. – М.: Высшая школа, 1989.- 223с.

2. Справочник по интегральным микросхемам. Под редакцией Тарабрина Б.В. – М.: Энергия, 1980.- 488с.

3. Горошков Б.И., Элементы радиоэлектронных устройств. – М.: Радио и связь, 1988.- 176с.

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

Приложение 2

Приложение 3

Обозначение	Количество отверстий	Диаметр отверстий, мм	Диаметр контактной площадки, мм	Наличие металлизации
	38	0,8	1,8	Нет
	43	1,0	2,0	Нет
	8	1,2	2,2	Нет
	2	3,0	4,0	Нет
	4	4,0	–	Нет

Приложение 4