Курсовая работа: Дослідження процесу напилення металевого контакту методом магнетроного розпилення

Пояснювальна записка до дипломного проекту містить сторінок ,9 таб­лиць, 6 рисунків, 2 додатки, 12 джерел.

Об’єкт проектування – діод ДЛ553-2000.

Метод проектування – технологічно-розрахунковий.

Дипломний проект складається з чотирьох розділів.

У загальному розділі описані загальні відомості про прилад ДЛ 553-2000, лі­тературний огляд з теми дипломного проекту та призначення операції напилення при використанні в напівпровідниковому виробництві.

Технологічний розділ містить розрахунок параметрів напівпровідникової структури, визначення послідовності операцій, розробку комплекту технологічної документації з використанням ЕОМ, методику та результати експерименту, характеристики обладнання, що використовується на дільниці, вимоги вакуумної гігієни на дільниці напилення.

У розділі організації та економіки виробництва проведено розрахунок трудомісткості виготовлення приладу на операції напилення, кількості робочих місць, чисельності робітників дільниці, річного фонду оплати праці, в останньому підрозділі наведено техніко-економічні показники дільниці.

Розділ четвертий-це розробка питань з охорони праці, техніки безпеки, безпеки життєдіяльності, протипожежних заходів та вирішення питань екології на дільниці напилення.7

ДІОД, ОМІЧНИЙ КОНТАКТ, НАПИЛЕННЯ, ВАКУУМ, МАТЕРІАЛИ, УСТАТКУВАННЯ, ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ПРОЦЕС

Зміст

Вступ.......................................................................................................................

1 Загальний розділ.................................................................................................

1.1 Короткі відомості про прилад ДЛ553-2000..................................................

1.2 Створення омічного контакту методом напилення в вакуумі.....................

1.2.1 Нанесення плівок у вакуумі.........................................................................

1.2.2 Значення вакууму в процесі напилення.....................................................

1.3 Призначення операції напилення...................................................................

2 Технологічо-розрахунковий розділ...................................................................

2.1 Розрахунок напівпровідникової структури приладу ДЛ553-2000..............

2.1.1 Загальні положення......................................................................................

2.1.2 Розрахунок питомого опору вихідного кремнію.......................................

2.1.3 Розрахунок параметрівp⁺ -n-n⁺ структури..................................................

2.1.4 Розрахунок діаметра випрямляючого елемента та вибір корпусу

діода...................................................................................................................................

2.2 Технологічна схема виготовлення приладу ДЛ553-2000............................

2.3 Визначення послідовності операцій технологічного процесу

напилення.........................................................................................................................

2.4 Розробка комплекту технологічної документації процесу напилення......

2.5 Експеримент за темою „Дослідження процесу створення металевих контактів на структурах приладу ДЛ553-2000”............................................................

2.6 Обладнання дільниці напилення...................................................................

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--