Курсовая работа: Фізико-технологічні основи процесів пайки

Ni - 1,5

Алюміній

___

___

Вакуум

6*10-2 Па

Кремнієві вентилі Силумін

Ag - 97;

Pb - 2; Sb - 1

Кремній Золото (контактно-реактивна пайка) 420 ___

___

Інтегральні

схеми

Арсенід галію + +нікель і кремній + +нікель

Ga - 39,6;

Sn - 4,4;

Cu (порошок) -56

100 Нагрівання променем лазера Кремній КЭФ + ковар 29НК

Стекло З48 - 1

або «Пирекс»

980 10 Аргон

Пайка у два етапи:

1) скло з коваром;

2)стекло-коваровий вузол із кремнієм

U = 800?1000У

400?450 20?25 Германій + платина Sn – 99; Bi - 1 280 5 Водень ___

Сполука припоїв впливає на електричні параметри приладів, що паяють, тому при виборі припоїв варто враховувати їх електрофізичні властивості, наприклад електропровідність, температурний коефіцієнт лінійного розширення.

Сполука припоїв, використовуваних для низькотемпературної пайки напівпровідників, наведені в табл. 1.3[2] [3]

1.3 Сполуки низькотемпературних припоїв, застосовуваних при пайкі германія й кремнію

Таблиця 1.3

Зміст (масові частки), % Тпл , °З
Bi Pb Sn Cd

50,1

52,0

56,0

-

24,9

40,0

44,0

36,0

К-во Просмотров: 260
Бесплатно скачать Курсовая работа: Фізико-технологічні основи процесів пайки