Курсовая работа: Фізико-технологічні основи процесів пайки
Ni - 1,5
___
Вакуум
6*10-2 Па
Ag - 97;
Pb - 2; Sb - 1
___
Інтегральні
схеми
Ga - 39,6;
Sn - 4,4;
Cu (порошок) -56
Стекло З48 - 1
або «Пирекс»
Пайка у два етапи:
1) скло з коваром;
2)стекло-коваровий вузол із кремнієм
U = 800?1000У
Сполука припоїв впливає на електричні параметри приладів, що паяють, тому при виборі припоїв варто враховувати їх електрофізичні властивості, наприклад електропровідність, температурний коефіцієнт лінійного розширення.
Сполука припоїв, використовуваних для низькотемпературної пайки напівпровідників, наведені в табл. 1.3[2] [3]
1.3 Сполуки низькотемпературних припоїв, застосовуваних при пайкі германія й кремнію
Таблиця 1.3
Зміст (масові частки), % | Тпл , °З | |||
Bi | Pb | Sn | Cd | |
50,1 52,0 56,0 - |
24,9 40,0 44,0 36,0 |
К-во Просмотров: 260
Бесплатно скачать Курсовая работа: Фізико-технологічні основи процесів пайки
|