Курсовая работа: Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е
Зависимостью барьерной ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор- база.
Зависимостью барьерной емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер - база.
Зависимостью времени рассасывания заряда базы от тока коллектора при постоянном значении отношения тока коллектора к току базы, например равном 10.
Зависимостью граничной частоты коэффициента передачи тока ft в схеме с ОЭ от тока коллектора Ic. Эта характеристика носит название площади усиления. Фиксированным при этом является величина постоянного напряжения Uкэ , которое обычно равно 10 В.
Расчетная часть
Для построения зависимостей может быть применен макет, функциональная схема которого представлена на рис. 15.
|
|
Эквивалентные схемы идеализированного транзистора n-p-n типа представлены на рис. 16а и рис. 16б.
|
|
|
|
11. Биполярный транзистор КТ209Л
Справочные данные
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный р-n-р маломощный.
Предназначен для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами в двух вариантах. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Возможное сечение структуры биполярного р-n-р транзистора показано на рисунке 12а.
Режимы работы, характеристики
Режимы работы транзистора могут быть идентифицированы по карте напряжений, частично представленной на рис. 18, для транзистора р-n-р типа.
|
|
Семейство выходных характеристик представлено на рис. 20:
|