Коммуникации и связь/Курсовая работа: Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е
Курсовая работа: Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е
Зависимостью барьерной ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор- база.
Зависимостью барьерной емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер - база.
Зависимостью времени рассасывания заряда базы от тока коллектора при постоянном значении отношения тока коллектора к току базы, например равном 10.
Зависимостью граничной частоты коэффициента передачи тока ft в схеме с ОЭ от тока коллектора Ic. Эта характеристика носит название площади усиления. Фиксированным при этом является величина постоянного напряжения Uкэ , которое обычно равно 10 В.
Расчетная часть
Для построения зависимостей может быть применен макет, функциональная схема которого представлена на рис. 15.
Функциональная схема для снятия выходных и передаточных характеристик транзисторов в широком диапазоне
Рис. 15
Эквивалентные схемы идеализированного транзистора n-p-n типа представлены на рис. 16а и рис. 16б.
Рис. 16а
Рис. 16б
Модифицированная эквивалентная схема биполярного транзистора n-p-n типа по Эберсу-Моллу
Эквивалентная схема биполярного транзистора n-p-n типа по Эберсу-Моллу