Курсовая работа: Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е

Ib = 0.1 mA

Ib = 0.2 mA

По значениям выходных характеристик определим напряжение Эрли:

Проведем прямые через линейные участки характеристик до пересечения с осью Uкэ, получим значение напряжения Эрли, равное: U_эрли = – 18,2 В.

А также напряжение Эрли можно определить теоретически, по формуле:

, получим: U_эрли = 17 В

Графики прямых передаточных характеристик в активном режиме Iк=f(Iб) и В=f(Iк), где В= Iк/Iб – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, соответственно представлены на рис. 21 и 22.

Рис. 22 Прямая передаточная характеристика в активном режиме В=f(Iк)
	Рис. 21 Прямая передаточная характеристика в активном режиме Iк=f(Iб)

Режим насыщения представлен на рис. 23, 24:

;

;

Рис. 24 Режим насыщения

Рис. 23 Режим насыщения

Рис. 25 Зависимости тока базы и тока коллектора от напряжения база-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер Uke = 3B

? ??????????????????? ???????? ??? ????????? ?????? ???????????? ??????????? ???? ???? ? ???? ?????????? ?? ?????????? ????-??????? (???. 16):

Из рис. 25 графически определим ток насыщения диода база-эмиттер и ток насыщения транзистора. Для чего продлим кривые до пересечения осью ln(Ik),ln(Ib). Получим:

I_{тр насыщ} = 3,7_* 10^-12 А,

I_{эб насыщ} = 0,11_* 10^-12 А.

Расчет коэффициентов неидеальности эмиттерного и коллекторного переходов:

1. Эмиттерного перехода:

Из входной характеристики зависимости Ube = f(Ib) выберем кривую при Uke = 3 B. На ней выберем две точки: Ube1 = 0.6 B, Ube2 = 0.65 B и Ib1 = 0.042 A, Ib2 = 0.242 A.

Решая систему уравнений, получим:

n = 1.1

2. Коллекторного перехода:

Из характеристики зависимости Ube = f(Ik) на кривой выберем две точки: Ube1 = 0.65 B, Ube2 = 0.66 B и Ik1 = 0.0085 A, Ib2 = 0.016 A.

Решая систему уравнений, получим:

n = 0.63

12. Биполярный транзистор КТ342Б

Справочные данные:

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n маломощный.

Предназначен для усиления и генерирования сигнала в широком диапазоне частот.

Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,3 г.