Курсовая работа: Конструирование ГИМС

0,5*0,5

Минимальные расстояния от края навесного компонента, до:

Края другого компонента

0,4

Края навесного пассивного компонента

0,6

Заключение

В ходе разработки курсового проекта сделано следующее:

1. выбран материал для подложки, резисторов и контактных площадок (выбор материалов был сделан в соответствии с приведёнными таблицами).

2. выбраны конструкции элементов и приведено описание методики их расчёта;

3. разработаны эскизы конструкций, приведены результаты расчётов топологических размеров элементов;

4. произведён расчёт площади платы, выбрана платы из таблицы типоразмеров плат ГИС.

В графической части приведены:

1. схема электрическая принципиальная (формат А3);

2. топологический чертёж (формат А1);

3. топологический чертёж резистивного слоя (формат А1);

В итоге курсового проекта была составлена документация, в заключение которой были перечислены источники используемой литературы.

Список использованных источников

Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем: учебник.
М.: Высшая школа,1984.-231с.

Николаев И.М. Интегральные микросхемы и основы их проектирования: учебник. М.: Радио и связь,1992.-424с.

Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем: учебник М.: Радио и связь,1991.-344с.