Курсовая работа: Методи одержання і вимоги до діелектричних плівок

Зміст

Вступ

1. Термовакуумне напилення

1.1 Етапи термовакуумного напилення

1.2 Суть методу

2. Реактивне іонно-плазмове розпилення

2.1 Суть методу

2.2 Методика розпилення

2.3 Переваги іонно-плазмового розпилення

3. Термічне окислення

3.1 Методика окислення

3.2 Властивості термічного окислення

4. Анодне окислення

4.1 Окис алюмінію

4.2 Окис танталу

4.3 Окис вольфраму

4.4 Окис титану

5. Хімічне осадження

5.1 Двоокис кремнію

5.2 Нітрид кремнію

6. Вимоги до діелектричних плівок

Висновок

Список використаної літератури

Вступ

Осадження плівок широко використовується при розробці елементів сучасних інтегральних схем. Для цієї мети широко використовуються не лише напівпровідникові тонкі плівки але і діелектричні тонкі плівки.

Діелектричні плівки використовуються для ізоляції між різними шарами в мікросхемах, в якості масок при дифузії іонній імплантації, для дифузії із легованих плівок з метою запобігти втрат з них легуючих елементів і таке інше. Найбільш поширеним застосуванням діелектричних плівок є в конденсаторах, транзисторах, а також для захисних покрить. [1]

При формуванні ізоляційних шарів використовують такі наступні хімічні сполуки і елементи:

моно окис кремнію SiO, двоокис кремнію SiO₂ ,

моно окис германіюGeO, трьох сірчиста сурма Sb₂ S₃ ,

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--