Курсовая работа: Микросборка фильтра верхних частот
Проверим следующее условие:
(77)
Определим среднее значение коэффициента формы:
(78)
Определим среднее значение МR ПР и половину поля рассеяния dR ПР относительной производственной погрешности:
(79)
(80)
(81)
(82)
(83)
Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления резистора:
Определим площадь занимаемую резистором:
мм2 (84)
Определим коэффициент нагрузки резистора:
(85)
Результаты расчета занесем в таблицу №2:
Таблица №2
резисторы | B, мм | В1 , мм | В2 ,мм | S, мм2 | P, мВт | КН | |
№ | R,Ом | ||||||
R8 | 200 | 5,053 | 1 | 4,953 | 25,53 | 125 | 0,2448 |
Конденсаторы
Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика. Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.
Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.
Под наши номиналы конденсаторов более подходит стекло электровакуумное С41-1 (НПО.027.600) с удельной емкостью 150…400 пФ/мм2 , диэлектрической проницаемостью e0 = 5,2, tgdд =(0,2…0,3)·102 , электрической прочностью ЕПР = 300…400 В/мкм, ТКЕ 104 Мa e д = 1,7, da e д = 0,2, коэффициентом старения 10-5 Мк e д = 2, dк e д = 1. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок: Dl = Db = 0,01мм. – максимальное отклонение размеров обкладок, Мсо = 5% – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости, dсо = 1% – половина поля рассеивания производственной относительной погрешности удельной емкости.
Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости, Вызванной изменением температуры, Мcotb при верхней и Мcotn при нижней предельной температуре:
(86)
(87)
Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]):