Курсовая работа: Микросборка фильтра верхних частот

Проверим следующее условие:

(77)

Определим среднее значение коэффициента формы:

(78)


Определим среднее значение МR ПР и половину поля рассеяния dR ПР относительной производственной погрешности:

(79)

(80)

(81)

(82)

(83)

Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления резистора:

Определим площадь занимаемую резистором:

мм2 (84)

Определим коэффициент нагрузки резистора:

(85)


Результаты расчета занесем в таблицу №2:

Таблица №2

резисторы B, мм В1 , мм В2 ,мм S, мм2 P, мВт КН
R,Ом
R8 200 5,053 1 4,953 25,53 125 0,2448

Конденсаторы

Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика. Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.

Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.

Под наши номиналы конденсаторов более подходит стекло электровакуумное С41-1 (НПО.027.600) с удельной емкостью 150…400 пФ/мм2 , диэлектрической проницаемостью e0 = 5,2, tgdд =(0,2…0,3)·102 , электрической прочностью ЕПР = 300…400 В/мкм, ТКЕ 104 Мa e д = 1,7, da e д = 0,2, коэффициентом старения 10-5 Мк e д = 2, dк e д = 1. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок: Dl = Db = 0,01мм. – максимальное отклонение размеров обкладок, Мсо = 5% – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости, dсо = 1% – половина поля рассеивания производственной относительной погрешности удельной емкости.

Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости, Вызванной изменением температуры, Мcotb при верхней и Мcotn при нижней предельной температуре:

(86)

(87)

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]):

К-во Просмотров: 801
Бесплатно скачать Курсовая работа: Микросборка фильтра верхних частот