Курсовая работа: Микросборка фильтра верхних частот

Далее перейдем к рис. 4.1а:напряжение на R_3,8 =6,107В, используя закон Ома найдем токи I₈ и I₃ :

I₈ =0,025A

I₃ =0,001A

Далее определим мощность резисторов R₅ , R₄ , R₃ и R₈ в отдельности, для этого воспользуемся формулой (1):

Для резистора R₅ : Вт.

Для резистора R₄ : Вт.

Для резистора R₃ : Вт.

Для резистора R₈ : Вт.

Для остальных резисторов, не вошедших в упрощенную схему, мощность будем определять по минимальному току I₃ :

Для резистора R_{2, 6,7} : Вт.

Для резистора R₁ : Вт.

Дальнейший расчет резисторов будем проводить в соответствии с [1].

Приведем конструктивный расчет R₄ :

Зададимся коэффициентом влияния a = 0,014 и вычислим коэффициенты влияния:

; ; ; .

Определим среднее значение и половины полей рассеяния относительной погрешности сопротивления, вызванной изменением температуры по следующим формулам:

; (3)

где - среднее значение температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки.

, - верхняя и нижняя предельные температуры окружающей среды.

; (4)

; (5)

Таким образом, подставляя исходные данные в формулы (3) – (5) получаем следующее:

; ;

;

;

Определим среднее значение и половину поля рассевания относительной погрешности сопротивления, вызванное старением резистивного материала по формулам:

(6)

(7)