Рисунок 4.1 – Вплив резистору зворотнього зв’язку на підсилювач

Спостерігається зниження Кп (8.62Дб) на 8.4% від запланованого, при збільшенні опору резистора R5, і збільшення Кп (10.36Дб) на 9,9% від запланованого, при збільшенні значення резистора.

Резистор R4=15000 Ом, змінюється на ±10%

Макс. зміна R4=15000+(15000*0.1)=16500 Ом;

Мін. зміна R4=15000-(15000*0.1)=13500 Ом;

Рисунок 4.2 – Вплив резистору входу на підсилювач

Спостерігається посилення Кп (10.455Дб) на 11,1% від запланованого при зменшенні резистора вхідного резистору R9, і послаблення на 7,5% від запланованого, при збільшенні значення опору (8.71Дб).

4.2 Вплив елементів на ФВЧ

F_cp =10 Гц;

Резистор R1=16000 Ом, змінюється на ±10%;

Макс. зміна R1=16000+(16000*0.1)=17600 Ом;

Мін. зміна R1=16000-(16000*0.1)=14400 Ом;

Рисунок 4.3 – Вплив резистору R1 на ФВЧ

Спостерігається пониження напруги (-8.96Дб) на 2,6% від запланованого на частоті зрізу при підвищені значення резистора R1 , а при зменьщені значення опору R1 – підвищення (8.79Дб) на 3.5%. В загальному випатку можно ствердити що зміни не відбулися.

F_cp =10 Гц;

Резистор R2=16000 Ом, змінюється на ±10%;

Макс. зміна R2=16000+(16000*0.1)=17600 Ом;

Мін. зміна R2=16000-(16000*0.1)=14400 Ом;

Рисунок 4.4 – Вплив резистору R2 на ФВЧ

Спостерігається пониження напруги (-9.5Дб) на 6,9% від запланованого начастоті зрізу при пониженіпідвищені значення резистора R2 , а при підвищені значення опору R2– підвищення (-8.08Дб) на 9.5%.

F_cp =10 Гц;

Конденсатор С3=2 мкФ, змінюється на ±20%;

Макс. зміна С3=2мкФ+(2 мкФ *0.2)=2.4 мкФ;

Мін. зміна С3=2 мкФ -(2 мкФ *0.2)=1.6 мкФ;

Рисунок 4.5 – Вплив конденсатору С3 на ФВЧ

Спостерігається пониження напруги (-8.28Дб) на 6,8% від запланованого на частоті зрізу при зменьшені значення конденсатора С3 , а при з підвищені значення конденсатора С3– підвищення (-9.34Дб) на 5.5%.