Курсовая работа: Моделювання елементів і каналу системи збору даних

Макс. зміна С2=0.75 мкФ +(0.75 мкФ *0.2)=0.9 мкФ;

Мін. зміна С2=0.75 мкФ -(0.75 мкФ *0.2)=0.6 мкФ;

Рисунок 4.6 – Вплив конденсатору С2 на ФВЧ

Спостерігається пониження напруги (-10.82Дб) на 11,36% від запланованого на частоті зрізу при збільшення значення конденсатора С2 , а при з зменьшенні значення конденсатора С3 – підвищення (-7.94Дб) на 9.7%.

4.3 Вплив елементів на ФНЧ

F_cp =10 кГц;

Резистор R6=1000 Ом, змінюється на ±10%;

Макс. зміна R6=1000+(1000*0.1)=1100 Ом;

Мін. зміна R6=1000-(1000*0.1)=900 Ом;

Рисунок 4.7 – Вплив резистору R6 на ФНЧ

Спостерігається пониження напруги (-9.25Дб) на 2,76% від запланованого начастоті зрізу при підвищенізначення резистора R6 , а при зменьщені значення опору R6– підвищення (-8.75Дб) на 2.6%.

F_cp =10 кГц;

Резистор R7=2000 Ом, змінюється на ±10%;

Макс. зміна R7=2000+(16000*0.1)=2200 Ом;

Мін. зміна R7=2000-(16000*0.1)=1800 Ом;

Рисунок 4.8 – Вплив резистору R7на ФНЧ

Спостерігається пониження напруги (-9.34Дб) на 2,86% від запланованого на частоті зрізу при зменшені значення резистора R7 , а при зменьщені значення опору R7 – підвищення (-8.73Дб) на 2.53%.

Конденсатор С4=10.2нФ, змінюється на ±20%;

Макс. зміна С4=10.2нФ+(10.2нФ*0.2)=12.24нФ;

Мін. зміна С4=10.2нФ-(10.2нФ*0.2)=8.16нФ;

Рисунок 4.9 – Вплив конденсатору С4 на ФНЧ

Спостерігається пониження напруги (-9.23Дб) на 3,5% від запланованого начастоті зрізу при зменьшені значення конденсатора С4 , а при з підвищені значення конденсатора С4– підвищення (-8.7Дб) на 2.5%.

Конденсатор С5=10.2нФ, змінюється на ±20%;

Макс. зміна С5=10.2нФ+(10.2нФ*0.2)=12.24нФ;

Мін. зміна С5=10.2нФ-(10.2нФ*0.2)=8.16нФ;