Курсовая работа: Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2

(27)

Данная модель также принимает во внимание зависимость сопротивления базы от тока (шнурование тока). Здесь объемное сопротивление базы описывается сопротивлением базы r_{BB ’} между внешним и внутренним выводами базы.

Полная модель Г-П, которая учитывает описанные выше эффекты, показана на рисунке 9.

Рисунок 9 – Статическая модель БТ в PSpice

Согласно вышеприведенным соотношениям характеристики БТ по постоянному току могут быть заданы следующими уравнениями [1]:

Нормальная активная область

(28)

Инверсная область

(29)

Область насыщения

(30)

Область отсечки

(31)

2.2 Параметры, описывающие статическую модель БТ

Параметры, требуемые для модели БТ могут быть заданы в опции .МОDEL. Для описания статической модели БТ необходимо задать следующие параметры [1]:

ISТок насыщения при температуре 27°С (I_S );

BFМаксимальный коэффициент передачи тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки) (b_F );

BRМаксимальный коэффициент передачи тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки) (b_R );

NEКоэффициент неидеальности перехода Б-Э (n_EL );

NCКоэффициент неидеальности перехода К-Б (n_CL );

VAFНапряжение Эрли в нормальном режиме (V_А );

VARНапряжение Эрли в инверсном режиме (V_B );

IKFТок начала спада зависимости BF от тока коллектора в нормальном режиме (I_KF );

IKRТок начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме (I_KR );

RBСопротивление базы при нулевом смещении перехода Б-Э (r_B );

RBMМинимальное сопротивление базы при больших токах (r_BM );

IRBТок, при котором сопротивление базы падает на 50% к его минимальному значению (I_rB );

ISEТок насыщения утечки перехода Б-Э (I_SE = C₂ I_S );