В настоящее, время проблема получения полупроводников высокой чистоты, менее актуальна чем раньше, т.к. технологии получения уже относительно давно отработаны и стоят на должном уровне. Ну а сейчас, ученые занимаются изучением оксидных плёнок и их возможным применением в микроэлектронике и электронике в целом.

Основной проблемой полупроводников является их нагревание во время работы. Отмечено, что основной причиной, приводящей к деградации монокристаллов Si после нагрева, являются структурные преобразования, связанные с частичным превращением алмазоподобного Si в кремний со структурой белого олова. Причиной этих превращений, наблюдаемых при высоких давлениях, является возникновение многочисленных очагов концентрации напряжений вследствие анизотропии теплового расширения различно ориентированных микрообъемов кристалла. В этих очагах возможно достижение высоких давлений, необходимых для указанного фазового перехода. Высказано соображение, что предотвращение процесса структурных превращений, приводящих к деградации электрофизических свойств Si, возможно путем легирования его переходными либо редкоземельными металлами, повышающими энергию межатомного взаимодействия и за счет этого уменьшающими коэффициент термического расширения. Выбор легирующих добавок обоснован расчетами энергии связи и зарядовой плотности на основе системы неполяризованных ионных радиусов.

Для получения полупроводников с электронной проводимостью ( n – типа ) с изменяющейся в широких пределах концентрацией электронов проводимости используют донорные примеси, образующие “мелкие” энергетические уровни в запрещённой зоне вблизи дна зоны проводимости. Для получения полупроводников с дырочной проводимостью ( P – типа ) вводятся акцепторные примеси, образующие уровни вблизи потолка валентной зоны.

РАСПРОСТРОНЕНИЕ.

Основное распространение полупроводники получили в компьютерных микросхемах и чипах. Именно эта область микроэлектроники требует наибольшего количества кремния и германия, причем очень высокой чистоты. В данной отрасли микроэлектроники наряду с сверхчистыми кремнием и германием, всё больше и больше применяются сверхпроводящие материалы.

Описанные выше методы, служат базой для современных разработок в данной области.

Список используемой литературы:

1. Физическая энциклопедия – 1990

издательство “ Советская энциклопедия ”

2. Германий – 1985

Издательство иностранной литературы, Москва ( сборник переводов ).

3. Материалы высокой чистоты – 1978

Издательство “ Наука ”

4. Журнал “ Физика и техника полупроводников ” -

1997 - 8

5. Проблемы современной электроники –

1996 – Сергеев А. С.

6. Начала современной химии - 1989- Рэмсден Э.Н.

издательство “ Ленинград “Химия” ”

7. Радиолюбитель – 1998-4

8. Современные достижения в микроэлектронике –

1998 – издательство “ РФСком ”