Курсовая работа: Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники

МИФИ

Факультет “Ф”

Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники

Иванов Эдуард Валериевич

______________

Консультант

Петров В.И.

1998

Введение.

Требования к свойствам материалов по мере развития техники непрерывно растут, причём подчас необходимо получить труднореализуемые либо даже несовместимые сочетания свойств . Это и порождает многообразие материалов . Возникают новые классы сложных комбинированных материалов. Материалы становятся всё более специализированные .

Большинство используемых в настоящее время материалов создано в результате исследований, основанных на экспериментально найденных закономерностях.

К таким материалам, используемым в микроэлектронике относится, германий, ещё недавно не находивший применения в технике. Стал одним из важнейших материалов, обеспечивающих развитие современной техники на одной из важнейших передовых позиций – техники полупроводниковых диодов и триодов.

Применение германия стало возможным, когда его удалось практически нацело очистить от примесей. В полупроводниковой технике, важнейший и пока практически единственно области применения , германий почти исключителен в виде монокристаллических слитков ультравысокой чистоты, содержание примесей в таком германии составляет только несколько миллионных долей процента.

Германий является рассеянным элементом и получается в основном из отходов других производств. В последнее время одним из важнейших источников получения германия США и Англии становиться каменный уголь. Разработан ряд технологических схем получения германия из этого источника.

Техника получения монокристаллов германия высокой чистоты разработана в настоящее время достаточно надежно и обеспечивает выпуск монокристаллического германия в промышленном масштабе.

Ничтожное содержание примесей (порядка 10 – 10 %) резко изменяют электрические характеристики германия. Будучи намерено вводимы в очищенный германий резко изменяют электрические свойства германия в благоприятном направлении, улучшая его эксплуатационные характеристики.

В связи с этим, наряду с очисткой германия, возникли важнейшие проблемы легирования германия ничтожно малым количеством примесей, контроля этих примесей, и изучения их взаимодействия между собой и с германием, изменением свойств германия в зависимости от состава и т.п. Важнейшее место в этих исследованиях должно занять изучение процессов диффузии примесей германия, вопросов изменения свойств германия в зависимости от степени совершенства монокристалла, от теплового воздействия и т.д.

Получение полупроводников.

Исторически так сложилось, что первоотцом микроэлектороники является кремний . В природе кремний в основном встречается в виде оксида кремния (IV) SiO2 ( песок, кварц ), а также в виде силикатов. Схема получения силикатов представлена на рисунке 1.

Рисунок 1.

Не менее неободим в микроэлектронике и германий. Эти два полуприводника почти в равной степени используются в микроэлектронике.

Общим методом получения кремния и германия высокой степени чистоты является метод зонной плавки. Этот метод ( схема метода зонной плавк приведена на рисунке №2)

Рисунок 2.

1 – Загрязнённые кристаллы в цилиндрической трубке

2 – Плавление кристаллов ( нагреватель – раскалённая спираль )

3 – Трубка медленно движется относительно спирали

4 – Вещество кристаллизуется после прохождения зоны нагревания

5 – Примеси более растворимы в расплаве и концентрируются в расплавленной зоне

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--