Курсовая работа: Проектирование выходного каскада связного передатчика с частотной модуляцией
9. Максимальная рассеиваемая на коллекторе мощность на коллекторе транзистора приближённо рассчитывается так:
(3.2.8)
где 
. – коэффициент рассогласования входного сопротивления нагрузки, который в оконечном каскаде не должен быть ниже 0,5.
10. Номинальное сопротивление коллекторной нагрузки определяется выражением:
(3.2.9)
Подставляя численные значения в (3.2.9), получаем:
Нагрузкой нашего связного передатчика является фидер с входным сопротивлением 75 Ом, поэтому после трансформации сопротивления с коэффициентом ј, т.е. из большего в меньшее (см. раздел 4 РАСЧЁТ ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ) получаем, что Rкэ = 75/4 = 18,75 Ом. Поскольку полученное значение этого сопротивления очень близко к рассчитанному значению этого же сопротивления по формуле (3.2.9), то нет смысла проводить коррекцию проведённых ранее расчётов коллекторной цепи.
3.3 Расчет базовой цепи
Для транзисторов УВЧ и СВЧ существенную роль играют LC – элементы, образующиеся между кристаллом и корпусом транзистора. При расчёте входной цепи транзистора с ОЭ предполагается, что между базовым и имиттерным выводами транзистора по радиочастоте включен резистор Rдоп и Rбк (см. рис. 3.3.1), сопротивление которого составляет:
 |
??? 3.3.1
(3.3.1)
(3.3.2)
Подставляя численные значения в (3.3.1) и (3.3.2) получаем:
Далее расчёт будем вести в соответствии с методикой [5] стр. 112 – 114.
1. Амплитуда тока базы определяется соотношением:
(3.3.3)
где коэффициент c равен:
(3.3.4)
Подставляя численные значения в (3.3.3) и (3.3.4) получаем:
2. Напряжение смещения на эмиттерном переходе при q = 90° находится как:
(3.3.5)
Где Еотс = 0,7 В (для кремниевого транзистора).
Подставляя численные значения в (3.3.5) получаем:
3. Значение максимального обратного напряжения на эмиттерном переходе определяется формулой:
(3.3.6)