Курсовая работа: Проектирование выходного каскада связного передатчика с частотной модуляцией

По результатам видно. что полученное значение не превышает допустимое значение (Uбэ доп = 4 В).

4. Рассчитаем параметры эквивалентной схемы входного сопротивления транзистора при включении с общим эмиттером:

(3.3.7)

При расчёте входной индуктивности необходимо добавить к Lэ ещё 3 нГн с учётом погонной индуктивности соединительного проводника с кристаллом, тогда получим:

(3.3.8)

При расчёте rвх оэ необходимо учесть, что Ска = Ск /2, а к Lэ также добавляется погонная индуктивность 3 нГн, после подставления в (3.3.8) необходимых значений имеем:

(3.3.9.)

после подстановки значений в (3.3.9), имеем:

(3.3.10)

Подставляя в (3.3.10) численные значения величин, получаем:


5. Активная и реактивная составляющие комплексного выходного сопротивления транзистора вычисляются по формулам:

(3.3.11)

(3.3.12)

Подставляя в (3.3.11), (3.3.12) численные значения величин, получаем значение входного сопротивления транзистора на частоте 80 МГц:

ZВХ = 2,535 + j 3,249 (Ом). (3.3.13)

6. Расчёт входной мощности транзистора:

(3.3.14)

После подстановки получаем:

Вт

7. Расчёт коэффициента усиления по мощности транзистора

(3.3.15)

После подстановки имеем:

К-во Просмотров: 478
Бесплатно скачать Курсовая работа: Проектирование выходного каскада связного передатчика с частотной модуляцией