Курсовая работа: Проектирование выходного каскада связного передатчика с частотной модуляцией
По результатам видно. что полученное значение не превышает допустимое значение (Uбэ доп = 4 В).
4. Рассчитаем параметры эквивалентной схемы входного сопротивления транзистора при включении с общим эмиттером:
(3.3.7)
При расчёте входной индуктивности необходимо добавить к Lэ ещё 3 нГн с учётом погонной индуктивности соединительного проводника с кристаллом, тогда получим:
(3.3.8)
При расчёте rвх оэ необходимо учесть, что Ска = Ск /2, а к Lэ также добавляется погонная индуктивность 3 нГн, после подставления в (3.3.8) необходимых значений имеем:
(3.3.9.)
после подстановки значений в (3.3.9), имеем:
(3.3.10)
Подставляя в (3.3.10) численные значения величин, получаем:
5. Активная и реактивная составляющие комплексного выходного сопротивления транзистора 
вычисляются по формулам:
(3.3.11)
(3.3.12)
Подставляя в (3.3.11), (3.3.12) численные значения величин, получаем значение входного сопротивления транзистора на частоте 80 МГц:
ZВХ = 2,535 + j 3,249 (Ом). (3.3.13)
6. Расчёт входной мощности транзистора:
(3.3.14)
После подстановки получаем:
Вт
7. Расчёт коэффициента усиления по мощности транзистора
(3.3.15)
После подстановки имеем: