Курсовая работа: Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод

Импульсные диоды предназначены для работы в импульсных цепях с длительностями импульсов от нескольких нс до нескольких мкс. Рассмотрим работу обычного p-n перехода при подаче на него импульсного напряжения.

Рисунок 28

Рисунок 29

В промежуток времени от 0 до t1 p-n переход закрыт (обратным напряжением пренебрегаем). В момент t1 p-n переход открывается, но ток через него и через нагрузку достигает своего максимального, то есть установившегося значения, не мгновенно, а за время tуст., которое необходимо для заряда барьерной ёмкости p-n перехода.

В момент времени t2 p-n переход почти мгновенно закрывается. Область p-проводимости оказывается насыщенной неосновными носителями зарядов, то есть электронами. Не успевшие рекомбинировать электроны под действием поля закрытого p-n перехода возвращаются в n-область, за счёт чего сильно возрастает обратный ток. По мере ухода электронов из p-области обратный ток уменьшается, и через время tвосст. p-n переход восстанавливает свои «закрытые» свойства. В импульсных диодах время восстановления и установления должны быть минимальными. С этой целью импульсные диоды конструктивно выполняются точечными или микросплавными. Толщина базы диода делается минимальной. Полупроводник легируют золотом для увеличения подвижности электронов.

Диоды ВЧ.

Это универсальные диоды, которые могут быть детекторными, модуляторными, импульсными при достаточных длительностях импульса, и даже выпрямительными при малых токах нагрузки. Основное отличие ВЧ диодов – обратная ветвь вольтамперной характеристики плавно понижается (увеличивается обратный ток, постепенно переходя в область электрического пробоя) (рис. 30).

Рисунок 30

Такое понижение обратной ветви ВАХ объясняется усиленной термогенерацией собственных носителей зарядов на малой площади p-n перехода.

Микросплавные ВЧ диоды имеют бoльшую барьерную ёмкость, чем точечные, и для того, чтобы их можно было использовать на высоких частотах, вблизи p-n перехода понижают концентрацию акцепторной и донорной примеси.

Рисунок 31

Понижение концентрации примеси приводит к увеличению ширины p-n перехода, следовательно, к уменьшению барьерной ёмкости:

СВЧ диоды .

На СВЧ используются диоды Шоттки и диоды с p-n переходом, площадь которого значительно меньше, чем у точечных.

Рисунок 32

Заострённая вольфрамовая проволока в виде пружины прижимается к базе с определённым усилием, за счёт чего образуется очень малой площади p-n переход.

9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации

Японский физик Лео Есаки в 1958 г создал случайно диод с необычными свойствами, заключающимися в наличии участка с отрицательным сопротивлением и способностью усиливать сигнал. В процессе изучения внутренней полевой эмиссии в вырожденном германиевом p-n переходе он обнаружил "аномальную" ВАХ: дифференциальное сопротивление на одном из участков характеристики было отрицательным. Этот эффект он объяснил с помощью концепции «квантовомеханического туннелирования» и при этом получил приемлемое согласие между теоретическими и экспериментальными результатами. Не беда, что туннелирование нарушает законы физики: туннелировать, -значит, проникать сквозь барьер, как значительно позже стал проникать Дэвид Коперфильд через Великую Китайскую стену. Если б такое было возможным, электроны в атомах могли бы перескакивать с одной орбиты на другую, наступил бы процесс спонтанной мутации химических элементов и полный хаос. Появление же указанного эффекта исключительно в теории полупроводников лишь подчеркивает ее блефовую основу и полную несостоятельность квантовомеханической теории.

Туннельный диод представляет собой простой p-n переход, обе стороны которого сильно легированы. Это означает, что в диоде Есаки (ДЕ) образуются дополнительные переходы (рис. 33)

Рисунок 33 - Дополнительные переходы диода Есаки.

Малая ширина основного перехода рождает принципиально новое свойство, связанное с неидеальностью линии границы перехода. Ширина d оказывается распределенной неравномерно по сечению канала (рис.34), отчего диод оказывается состоящим из многих параллельно включенных диодов с различающимися значениями d, причем некоторые участки сечения образуют встречное включение переходов. Сумма этих участков может рассматриваться как один паразитный диод.

Рисунок 34 - Вероятностное представление границ перехода ДЕ.