Курсовая работа: Расчет выпрямительного диффузионного диода
по проектированию и конструированию полупроводниковых приборов
1. Тема: Расчет выпрямительного диффузионного диода.
2. Срок представления курсового проекта к защите:
3. Исходные данные для проектирования:
3.1 Повторяющееся импульсное обратное напряжение: URRM = 2000 B.
3.2 Максимально допустимый прямой ток: IFAV = 350 A.
3.3 Обратный допустимый ток: IRRM ≤ 3 мА.
3.4 Прямое падение напряжения: UFM ≤ 1,5 В.
4. Содержание пояснительной записки курсового проекта.
4.1 Расчет удельного сопротивления исходного кристалла.
4.2 Расчет геометрических размеров слоев выпрямительного элемента.
4.3 Расчет диаметра выпрямительного элемента и выбор конструкции корпуса диода.
4.4 Проверка соответствия расчетных и заданных значений основных параметров диода и корректировка расчетов.
5. Перечень графического материала.
5.1Вольт амперная характеристика диода единичной площади.
5.2 Графики зависимости выделяемой и отводимой мощности от диаметра выпрямительного элемента.
5.3 Структура выпрямительного элемента.
РЕФЕРАТ
Пояснительная записка содержит 32 страницы печатного текста, 2 рисунка, 3 таблицы, 3 приложения, при написании использовалось 3 источника литературы.
выпрямительный элемент, экспоненциальная модель, диффузионный профиль, удельное сопротивление, напряжение пробоя, область пространственного заряда, прямой ток, диод.
Объектом разработки является выпрямительный диффузионный диод.
Цель работы - проектирование выпрямительного диффузионного диода.
Методы разработки - аналитический расчет.
Полученные результаты: по заданным электрическим параметрам определены технологические параметры изготовления выпрямительного элемента, разработана структура диода.
Основные конструкционные и эксплуатационные характеристики: Повторяющееся импульсное обратное напряжение URRM = 2000 B, максимально допустимый прямой ток IFAV = 350 A, обратный допустимый ток IRRM ≤ 70 мА, прямое падение напряжения UFM ≤ 1,5 В. Удельное сопротивление исходного кристалла r = 70 Ом×см, толщина структуры W = 270 мкм, глубина залегания p - n-перехода xj = 55 мкм, параметры диффузии Dt = 2,17 ×10-6 см-2 , диаметр выпрямительного элемента dВ = 24 мм. Максимальная температура корпуса TC = 140°C.
Область применения:разработанный диод может применяться в любой силовой аппаратуре, где необходимо его использование и соблюдаются условия эксплуатации.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Теоретическая часть
1.1 Выбор материала диода и типа проводимости исходного кристалла
1.2 Определение удельного сопротивления исходного кристалла
1.3 Расчет геометрических размеров слоев выпрямительного элемента
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--