Курсовая работа: Растровый электронный микроскоп

Содержание

Введение

1 Электронно-микроскопический метод исследования

2 Физические основы растровой электронной микроскопии

2.1 Разновидности растрового электронного микроскопа

3 Схема растрового электронного микроскопа, назначение его узлов и их функционирование

4 Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним

5 Технические возможности растрового электронного микроскопа

6 Современные виды РЭМ

Заключение

Список литературы

Введение

Быстрое развитие методов исследования и анализа, основанных на использовании электронно-зондового и различных сигналов, излучаемых веществом при взаимодействии с электронами зонда, привело к тому, что техника, которая еще совсем недавно была привилегией отдельных лабораторий, стала общедоступной.

Такое расширение работы в этом направлении было частично обусловлено достижениями в растровой электронной микроскопии и созданием различных приставок для химического рентгеновского анализа с помощью твердотелых детекторов с энергетической дисперсией. В настоящее время многие исследователи располагают мощными техническими средствами, но не имеют соответствующей подготовки для работы с ними. Поскольку эти методы исследования и анализа, применение которых значительно облегчилось благодаря техническому прогрессу и взаимопониманию, достигнутому между конструкторами, основаны на использовании физических процессов, то законы их должны быть познаны, чтобы получать полезные и важные результаты.

Если технический прогресс позволил быстро создать необходимое оборудование, то возникла естественная необходимость найти правильный подход к подробной характеристике материалов, основываясь на новых возможностях метода. Становится все более очевидным, что для характеристики материала недостаточно только химического и гранулометрического анализа. Характеристика требует качественного и количественного описания некоторого числа свойств, особенно на микроуровне (или точнее на нескольких микроуровнях), в соответствии, разумеется, с макроскопическими характеристиками, такими как химический состав и предыстория (термическая или механическая) образца независимо от природы материала (металла, керамики, минерала или полупроводника).

1 Электронно-микроскопический метод исследования

Электронно-микроскопический метод исследования получил широкое распространение в различных областях науки и техники. Электронный микроскоп благодаря высокой разрешающей способности (более чем на два порядка выше по сравнению со световым микроскопом) позволяет наблюдать тонкие особенности и детали структуры микрообъектов на атомно-молекулярном уровне. Эти приборы по своему назначению разделяются на просвечивающие (ПЭМ) и растровые (РЭМ) электронные микроскопы. Первые позволяют изучать образцы в проходящих, а вторые – во вторичных или рассеянных объектом электронах.

Применение просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) в минералогии началось со времени получения теневых изображений тонкодисперсных частиц глинистых минералов. Начиная с 50-х годов стали появляться работы, посвященные принципам действия, конструкции и техническим возможностям электронных микроскопов [2]. Одновременно разрабатывались различные методы исследования в электронном микроскопе. В настоящее время в комплекс электронно-микроскопических методов входят просвечивающая и растровая электронная микроскопия, микродифракция и электронно-зондовый анализ. С помощью этого комплекса методов решается широкий круг вопросов минералогии. В него входят исследование тонкой микроморфологии минеральных индивидов и агрегатов, определение различных типов точечных дефектов и дислокаций, оценка степени неоднородности минералов, выявление морфологических и структурных соотношений между различными фазами, прямое изучение периодичности и дефектов кристаллических решеток минералов и др.

Растровый электронный микроскоп и рентгеновский микроанализатор это два прибора с большими возможностями, позволяющие на таком уровне наблюдать и изучать неоднородные органические и неорганические материалы и поверхности. В обоих приборах исследуемая область или анализируемый микрообъем облучаются тонко сфокусированным электронным пучком, либо неподвижным, либо разворачиваемым в растр по поверхности образца.

2 Физические основы растровой электронной микроскопии

Принцип действия основан на использовании некоторых эффектов, возникающих при облучении поверхности объектов тонко сфокусированным пучком электронов – зондом. Как показано на рис. 1. в результате взаимодействия электронов 1 с образцом (веществом) 2 генерируются различные сигналы. Основными из них являются поток электронов: отраженных 3, вторичных 4, Оже-электронов 5, поглощенных 6, прошедших через образец 7, а также излучений: катодолюминесцентного 8 и рентгеновского 9.

Рисунок 1. – Эффекты взаимодействия электронного луча с объектом

1 – электронный луч; 2 – объект; 3 – отраженные электроны; 4 – вторичные электроны; 5 – Оже-электроны; 6 – ток поглощенных электронов; 7 – прошедшие электроны; 8 – катодолюминесцентное излучение; 9 – рентгеновское излучение

Для получения изображения поверхности образца используются вторичные, отраженные и поглощённые электроны. Остальные излучения применяются в РЭМ как дополнительные источники информации.

Важнейшей характеристикой любого микроскопа является его разрешающая способность. Она определяется:

- площадью сечения или диаметром зонда;

- контрастом, создаваемым образцом и детекторной системой;

- областью генерации сигнала в образце.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--