Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
Ом*м
2,8
-
1,7
7,3
12,0
21,0
1,6
Температурный коэффициент сопротивления,
*10-3 єС-1
4,2
-
4,3
6,5
4,9
3,7
4,1
Модуль Юнга
*1010 Па
7
-
12
-
-
1,7
-
Таблица. 2.2 - Основные свойства некоторых полупроводниковых материалов[5, стр. стр. 135]
Параметр и единица измерения |
Полупроводниковые материалы | ||||
|
К-во Просмотров: 571
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
| |||||