Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем

6. Характеристики внешних воздействий:

окружающая температура +4010◦C; [12, стр. 384].

относительная влажность 30…85% при температуре +25◦C; [12, стр. 384].

вибрационные нагрузки с частотой 10-2000Гц и максимальным ускорением 10-20g;
многократные удары длительностью 2-6мс с ускорением 75-150g;

линейные нагрузки (центробежные) с максимальным ускорением 25-2000g;

атмосферное давление – 85.0…106.7 кПа (650…80мм.рт.ст.). [12, стр. 384].

по климатическим условиям эксплуатации ей присваиваивается индекс – У(N) – умеренный.

7. Среднее время наработки до отказа должно быть не менее 15000 ч.

8. Тип производства – специализированный выпуск. [13, стр. 238].

1.2 Анализ электрической принципиальной схемы усилителя с непосредственной связью

Усилитель с непосредственной связью собран на транзисторах VT1, VT2 – прямой проводимости. Сигнал с входа поступает на разделительный конденсатор С1 и затем усиливаемый сигнал поступает на базу транзистора VT1. Смещенный сигнал поступает на RC фильтр, образующий отрицательную обратную связь. Далее сигнал поступает на транзистор VT2 и через фильтры включенные в коллекторную цепь поступает на выход схемы. Выходной сигнал снимают с резистора R7 и с общей точки минусовой шины.

1.3 Анализ элементной базы генератора напряжения

Параметры элементов схемы используемые при разработке ИМС приведены в таблицах 1.1 – 1.4.

Таблица 1.1 - Параметры транзистора КТ 805А [4, стр. 491,502,503,524]

Параметр	Обозначение	Единица измерения	Данные о параметрах
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	Ikmax	А	5
Максимально допустимый импульсный ток коллектора	Ik, и max	A	8
« 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » К-во Просмотров: 559 Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем >>> Скачать <<< Меню Поиск