Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
Напряжение насыщения база - эмиттер
Uбэ нас
В
2.5
Время рассеивания параметра биполярного транзистора
tрас
мкс
-
Время включения параметра биполярного транзистора
tвкл
мкс
-
Время включения параметра биполярного транзистора
tвыкл
мкс
-
Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается
Ск
пф
60
Емкость эмиттерного перехода. При увеличении обратного смещения на эмиттере емкость уменьшается.
Сэ
пф
115
Температура p-n перехода
Тп
◦С
<100
Таблица 1.2 - Параметры транзистора КТ 502Е[4, стр.491,500,501,524]
|
К-во Просмотров: 563
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
|