Курсовая работа: Разработка конструкции и технологии микроэлектронного варианта формирователя опорной частоты 10 МГц
Размеры нижней обкладки:
где . Примем
Тогда
Размеры диэлектрического слоя:
Фактическое значение погрешности активной площади:
Аналогичным образом рассчитаем оставшиеся конденсаторы проектируемой МСБ. Результаты расчётов тонкоплёночных конденсаторов представлены в виде таблицы:
Таблица 2
Поз. Обозна-чение |
Номинал, допуск, мощность |
Материал |
|
|
|
|
|
|
|
С1 |
10мкФ±20% |
Стекло электро-вакуумное С41-1 |
50000 |
5 |
141.42 |
142.02 |
142.62 |
200 |
К-во Просмотров: 522
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка конструкции и технологии микроэлектронного варианта формирователя опорной частоты 10 МГц
|