Курсовая работа: Разработка магнитодиода
Применение датчика в металлорежущих станках с программным управлением, подъемных кранах, конвейерах и в различных транспортных системах с повышенными виброударными нагрузками требует при проектировании конструкции более жестких требований, например на материал конструкции, толщину элементов, способ крепления датчика и крепление узлов между собой.
1.2 Расширенное техническое задание
1. Наименование изделия: “Датчик определения перемещения движущегося предмета ” (ДПП).
2. Датчик представляет собой систему определения перемещения движущегося предмета на основании дипольной магнитной системы и магнитодиода. Габаритные размеры системы Ø15×15мм.
3. Датчик представляет собой законченное устройство.
4. ДПП подключается к электроизмерительными приборам.
5. Диапазон измеряемых перемещений составляет 1-15мм.
6. Рабочее напряжение 2В.
7. Напряжение Холла 2,5В.
8. Ток питания магнитодиода 0,25мА.
9. Материал тела магнитодиода - арсенид галлия с удельным сопротивлением 25кОм·см.
10. Концентраторы магнитного потока должны быть изготовлены из магнитомягкого материала и не должны перенасыщаться под действием поля постоянного магнита.
11. Коэффициент применяемости - не менее 0,6.
12. Устройство относится к группе возимой РЭА, устанавливаемой в автомобиле, стационарной, устанавливаемой на станках с ЧПУ.
13. Характеристики внешних воздействий одинаковы для режимов хранения, перевозки и работы. Температура окружающей среды может изменяться от минус 40 до плюс 85 °С. Относительная влажность до 80% при температуре плюс 25°С. Пониженное атмосферное давление - 61 кПа.
14. Среднее время наработки на отказ должно быть не менее 20 тыс. час.
15. Конструкция устройства должна предусматривать работу оператора с ним без применения специальных мер обеспечения безопасности.
16. Ориентировочная программа выпуска - 800000 приборов в год.
2. Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции
Важную группу полупроводников составляют ковалентно-ионные соединения типа А111 В V и ионно-ковалентные соединения типа А II В VI , кристаллизующиеся в алмазоподобной решетке, а также некоторые другие, например AIV Б VI . Наиболее разработаны и перспективны арсенид и фосфид галлия и фосфид и антимонид индия. Свойства монокристаллических GаАs, GаР, а также Gе и Si приводятся в табл.2.1 [1]
Таблица.2.1
«Алмаз» «Цинковая обманка»
|
Наименование параметра | Значение параметра | |||
| Si | Ge | GaAs | GaP | |
|
Тип кристаллической структуры Параметр решетки, нм Температура плавления, К Предельная рабочая температура, К Подвижность электронов при 300 К, см2 / (В·с) Подвижность дырок при 300 К, см2 / (В·с) К-во Просмотров: 594
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка магнитодиода
| ||||